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采用JFET的推挽源極跟隨器

發(fā)布時間:2012/5/22 19:52:56 訪問次數(shù):1786

    圖4.19中是采用JFET的推挽MSP430F415IPMR源極跟隨器。
    這個電路的結(jié)構(gòu)非常簡單,而且由于是推挽結(jié)構(gòu),所以不會像照片4.7所示那樣波形被限幅,使用也很方便。
    由于N溝JFET和P溝JFET的柵極與柵極、源極與源極相互連接,所以Tr,和Tr2都是在VGS =OV下工作。因此,Tri和Tr2的源極電流都是IDSS(GS一OV時的源極電流是IDSs)。
    不過這是Tri和Tr2的傳輸特性完全相同(當(dāng)然極性是相反的)時的情況,實際的器件即使是互補對也不一定正好完全一致。

           
    圖4.19的電路中Tri的源極與Tr2的源極相接續(xù),所以Tri和Tr2的源極電流完全相等。這時如果像圖4. 20那樣將N溝JFET與P溝JFET的傳輸特性疊合,那么兩條曲線的交叉點就成為實際的工作點(曲線交叉點處的漏極電流的值相同)。這時的源極電位將會偏離V GS為OV的值。
    這個電路的設(shè)計非常簡單,只是選擇JFET。但是JFET必須使用互補對,而且IDSS的檔次必須一致。否則的話,將不會出現(xiàn)傳輸特性的交叉點。
    另外,由于使用的JFET的IDSS分散性,不能確定源極電位是正還是負(fù),所以為了從Tri和Tr2的源極取出輸出而使用的耦合電容必須采用無極性(雙極性的)電容。

    圖4.19中是采用JFET的推挽MSP430F415IPMR源極跟隨器。
    這個電路的結(jié)構(gòu)非常簡單,而且由于是推挽結(jié)構(gòu),所以不會像照片4.7所示那樣波形被限幅,使用也很方便。
    由于N溝JFET和P溝JFET的柵極與柵極、源極與源極相互連接,所以Tr,和Tr2都是在VGS =OV下工作。因此,Tri和Tr2的源極電流都是IDSS(GS一OV時的源極電流是IDSs)。
    不過這是Tri和Tr2的傳輸特性完全相同(當(dāng)然極性是相反的)時的情況,實際的器件即使是互補對也不一定正好完全一致。

           
    圖4.19的電路中Tri的源極與Tr2的源極相接續(xù),所以Tri和Tr2的源極電流完全相等。這時如果像圖4. 20那樣將N溝JFET與P溝JFET的傳輸特性疊合,那么兩條曲線的交叉點就成為實際的工作點(曲線交叉點處的漏極電流的值相同)。這時的源極電位將會偏離V GS為OV的值。
    這個電路的設(shè)計非常簡單,只是選擇JFET。但是JFET必須使用互補對,而且IDSS的檔次必須一致。否則的話,將不會出現(xiàn)傳輸特性的交叉點。
    另外,由于使用的JFET的IDSS分散性,不能確定源極電位是正還是負(fù),所以為了從Tri和Tr2的源極取出輸出而使用的耦合電容必須采用無極性(雙極性的)電容。

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