圖3.33是利用JFET這種性質(zhì)的CC1120RHMR零偏置源極接地放大電路。這個(gè)電路的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，應(yīng)用于話筒放大器或者高輸入阻抗的前置放大器等。
    柵極偏置電路只用一個(gè)RG一lMt0,的電阻，將柵極偏置為與源極電位相同的OV(GND電平)(Vcs=OV)。因此，沒(méi)有信號(hào)輸入時(shí)的漏極電流就變成IDSS。
    如果輸入端有電壓輸入，VGS就以O(shè)V為中心正負(fù)擺動(dòng)（輸入電壓一VGs），漏極電流就以IDSS為中心增減。后面的電路與一般的源極接地放大電路相同，這個(gè)漏極電流的變化部分在RD上變換為電壓，作為輸出被取出。
    由于是源極直接接地（沒(méi)有源極電阻），所以這個(gè)電路的電壓增益為gM×RD(參看式(3.20))。
    考慮到所使用JFET的IDSS的分散性，取IDSS最大時(shí)RD上的電壓降為適當(dāng)?shù)闹�，以此設(shè)定RD的值。
    表3.2是圖3.33中電路所使用的JFET 2SK330的特性。由于2SK330GR的IDSS分散在2.6～6.5mA之間，設(shè)RD一620Q，當(dāng)IDSS一6.5mA時(shí)，RD上的電壓降為4V(一620Q×6.5mA)。這時(shí)的漏極電位為1V(=5V-4V)．所以漏極電位就以這個(gè)電壓為中心擺動(dòng)。
    如果增大RD，電路的增益也提高。但是由于漏極電壓接近GND，所以取不出輸出振幅（當(dāng)然，RD上的電壓降超過(guò)電源電壓時(shí)也不能工作）。

                    
    當(dāng)希望提高電路的增益時(shí)，不應(yīng)該增大RD的值，而應(yīng)該選用gm大的JFET。
    如果這個(gè)電路的輸入電壓為+0.6～+0.7V，由于柵極一源極間的二極管將會(huì)導(dǎo)通（作為放大電路就不能工作），所以不太能夠輸入較大振幅的信號(hào)。由圖3.32看出，線性輸入的電壓范圍為1.2Vp_p(-0.6～+0.6V)。