圖3.34是選擇150MHz附近的信號進CC2500RTKR行放大的調諧放大電路。在150MHz得到20dB的增益�？梢詰糜跓o線對講機或者FM接收機的RF頻段。
    這個電路是將源極接地放大電路的柵極偏置電路和漏極電阻置換為LC并聯共振電路（調諧電路）。
    并聯共振電路是一種在振蕩頻率fo點從外部看到的阻抗是無限大，在其他頻率處阻抗變小的電路。因此，如圖3. 35所示，電路的增益與并聯共振電路的阻抗曲線形狀完全相同，僅僅對振蕩頻率fo附近的信號進行選擇性放大。

    圖3.34的電路中，Li=L2=70nH，所以當C1=C2≈16pF時在150MHz諧振。實際的電路中，由于柵極的輸入電容以及布線電容等，所以用15pF的微調電容器就能夠在150MHz諧振。
    在線圈上設置抽頭是為了設定輸入輸出阻抗為50fl，進行阻抗匹配。
    這個電路是將高頻放大用N溝MOSFET 2SK241的源極直接接地。而且從直流角度看柵極是用Li接地的，所以工作在VGS =O狀態(tài)。就是說與圖3.33的電路相同，都是在零偏置狀態(tài)下工作的。
    但是2SK241是耗盡型MOSFET，所以對輸入信號的振幅沒有限制。
    由于是在VrGS一O狀態(tài)下，所以這時的漏極電流就是IDSS。2SK241的Y檔Irss一3.0～7．OmA，所以漏極電流分散在3.0～7.OmA昀范圍之內。
    由于是源極直接接地，所以電路的增益為g。×RD。這個電路中，RD是諧振電路的阻抗。
    并聯共振電路的阻抗在共振頻率處為無窮大，所以理論上增益也是無窮大，不過實際電路的增益約為20dB。其原因是FET的源極內部等效電阻不等于零，而且諧振電路的阻抗也并不是無窮大。但是，電路的增益與所使用FET的g。（也有作為正向傳輸導納數據提供）成比例。
    制作這個電路時，為了從諧振電路獲得足夠的增益，器件的選擇是十分重要的。諧振電路中使用的線圈應該在諧振頻率下具有足夠高的Q值(Q值是表征線圈質量優(yōu)劣的參數，如果串聯電阻為r，則Q=cvLlr)。圖3.34的電路中，使用的是用聲一0.8的粗鍍錫線繞成的線圈。
    為了使頻率特性向高頻方向延伸，電路的布線方法是非常重要的。如照片3.8所示，各部分的布線都應該粗而短（特別應該注意電源的連接線），盡量降低GND的阻抗。