使用MOSFET時(shí)由于溫度變化使LM3S1607-IQR50-A0漏極電流發(fā)生變化的關(guān)系曲線如圖5.5所示。
    這就是說，當(dāng)柵極一漏極間電壓保持一定而溫度變化時(shí)，漏極電流在電流值小的時(shí)候具有正的溫度系數(shù)（溫度升高，漏極電流增加），而在電流值大的對(duì)候具有負(fù)的溫度系數(shù)（溫度升高時(shí)漏極電流減�。�。
    對(duì)于雙極晶體管，不論集電極電流值大小如何，集電極電流的溫度系數(shù)都是正值。因此，如果不進(jìn)行切實(shí)的溫度補(bǔ)償將會(huì)發(fā)生熱擊穿（溫度上升一集電極電流增加一溫度進(jìn)一步上升一集電極電流進(jìn)一步增加一…所謂的惡性循環(huán)），最終有可能導(dǎo)致器件被燒壞。
    對(duì)于MOSFET來說，由于漏極電流大的時(shí)候具有負(fù)的溫度系數(shù)，所以不會(huì)發(fā)生熱擊穿。這也是MOSFET的優(yōu)點(diǎn)之一。
    當(dāng)?shù)皖l功率放大器的輸出級(jí)使用MOSFET時(shí)，嚴(yán)格來說為了符合圖5.5所示的溫度特性，需要使偏置變動(dòng)的溫度補(bǔ)償電路。
    但是在原理上MOSFET不發(fā)生擊穿，所以也就沒有必要對(duì)偏置電路進(jìn)行嚴(yán)格的溫度補(bǔ)償。只要有“如果溫度升高，柵極一源極間電壓將減小，從而抑制漏極電流”這樣的補(bǔ)償就足夠了。