使用MOSFET時由于溫度變化使LM3S1607-IQR50-A0漏極電流發(fā)生變化的關系曲線如圖5.5所示。
    這就是說，當柵極一漏極間電壓保持一定而溫度變化時，漏極電流在電流值小的時候具有正的溫度系數(shù)（溫度升高，漏極電流增加），而在電流值大的對候具有負的溫度系數(shù)（溫度升高時漏極電流減�。�。
    對于雙極晶體管，不論集電極電流值大小如何，集電極電流的溫度系數(shù)都是正值。因此，如果不進行切實的溫度補償將會發(fā)生熱擊穿（溫度上升一集電極電流增加一溫度進一步上升一集電極電流進一步增加一…所謂的惡性循環(huán)），最終有可能導致器件被燒壞。
    對于MOSFET來說，由于漏極電流大的時候具有負的溫度系數(shù)，所以不會發(fā)生熱擊穿。這也是MOSFET的優(yōu)點之一。
    當?shù)皖l功率放大器的輸出級使用MOSFET時，嚴格來說為了符合圖5.5所示的溫度特性，需要使偏置變動的溫度補償電路。
    但是在原理上MOSFET不發(fā)生擊穿，所以也就沒有必要對偏置電路進行嚴格的溫度補償。只要有“如果溫度升高，柵極一源極間電壓將減小，從而抑制漏極電流”這樣的補償就足夠了。