如圖5.6所示，這是與輸出級使用雙極LM3S1751-IQC50-A2晶體管的功率放大器完全相同的偏置電路（當(dāng)然也必須使輸出級的MOSFET與偏置電路的晶體管Tri熱耦合）。但是，這個(gè)電路中MOSFET的VGS的溫度變化是由晶體管VBE的溫度變化補(bǔ)償?shù)�，所以是不怎么�?zhǔn)確的溫度補(bǔ)償。
    這個(gè)電路的工作是由如下的循環(huán)過程進(jìn)行控制的。
    ①輸出級溫度上升；
    ②Tri的溫度網(wǎng)樣也上升，VBE變�。ňw管的VBE隨溫度上升而減小，溫度系數(shù)約為-2.5mV／℃）；
    ③MOSFET的柵極一柵極間電壓VB減��；
    ④由于MOSFET的VGS變小，所以漏極電流減��；
    ⑤器件的溫度下降。