下面確定溫度補(bǔ)償用LM3S615-IQN50-C2的晶體管Tri。只要這個(gè)晶體管集電極電流Ic的最大額定值在6.5mA以上（Tr4或Trs的IDSS的最大值），集電極一發(fā)射極電壓的最大額定值在幾伏以上（一MOSFET的柵極一柵極間的偏置電壓值，關(guān)于這個(gè)值將在后面將作說(shuō)明），什么樣的器件都可以。
    考慮到與Tr2、Tr s的熱耦合，選用T0126全模封裝——金屬部分不暴露出的絕緣型封裝的低頻中功率放大用晶體管2SC3423(東芝)。表5.3列出了2SC3423的特性。
    這個(gè)電路中流過(guò)基極側(cè)(Rs、VR1、R6)的電流i。由Rs決定（因?yàn)镽s的電壓降是Tri的VBE）。為了可以忽略基極電流，取如大于集電極電流的1/10。這里取IB=0.5mA(集電極電流為從電流源的設(shè)定電流1.2～6.5mA扣除這個(gè)0.5mA的值)。所以Rs =1.2kfl(約0.6V／O.5mA)。