為使電路正常工作所加入的各元件
發(fā)布時(shí)間:2012/5/24 19:19:57 訪問(wèn)次數(shù):553
C3、C4是OP放大器的電LM3S615-IQN50-C2去耦電容器。這里采用C3一C4一lOtlF/25V的電解電容器。
C5和C6是防止三端穩(wěn)壓電源發(fā)生振蕩所接入的電容。三端穩(wěn)壓電源也可以認(rèn)為是與OP放大器相同的負(fù)反饋放大電路，為了木發(fā)生振蕩同樣也需要有電源去耦電容器。這里使用C5=C6一0.luF的疊層陶瓷電容器。
R7和R8是防止MOSFET發(fā)生振蕩的重要電阻。由于MOSFET的柵極輸入阻抗非常高，所以給柵極串聯(lián)一個(gè)小的電阻不會(huì)產(chǎn)生不利影響。但是在高頻范圍MOSFET的輸入阻抗將降低。而且在某一頻率范圍往往會(huì)成為負(fù)阻——其大小是負(fù)值的電阻成分，會(huì)發(fā)生振蕩（關(guān)于負(fù)阻與振蕩的關(guān)系將在第14章介紹）。
在FET的柵極插入電阻的作用就是抵消負(fù)阻成分防止振蕩的發(fā)生。這個(gè)電阻通常取數(shù)十至數(shù)百歐。在這里取值為R7=R8 =100-Q,。
C7的作用是對(duì)Tr．交流旁路，使得從Tr2、Tr3的柵極看進(jìn)去的阻抗相等。這樣能夠使MOSFET的輸入電容與前級(jí)輸出阻抗形成的低通濾波器的截止頻率在Tr2一側(cè)和Tr3一側(cè)基本相等。其結(jié)果，在高頻范圍能夠使Tr2和Tr3正確地互補(bǔ)工作，改善失真率。
C7的值愈大愈好。不過(guò)過(guò)于大的話電容器的體積也會(huì)增大，所以取C7=0.lpLF的薄層電容器。
C5和C6是防止三端穩(wěn)壓電源發(fā)生振蕩所接入的電容。三端穩(wěn)壓電源也可以認(rèn)為是與OP放大器相同的負(fù)反饋放大電路，為了木發(fā)生振蕩同樣也需要有電源去耦電容器。這里使用C5=C6一0.luF的疊層陶瓷電容器。
R7和R8是防止MOSFET發(fā)生振蕩的重要電阻。由于MOSFET的柵極輸入阻抗非常高，所以給柵極串聯(lián)一個(gè)小的電阻不會(huì)產(chǎn)生不利影響。但是在高頻范圍MOSFET的輸入阻抗將降低。而且在某一頻率范圍往往會(huì)成為負(fù)阻——其大小是負(fù)值的電阻成分，會(huì)發(fā)生振蕩（關(guān)于負(fù)阻與振蕩的關(guān)系將在第14章介紹）。
在FET的柵極插入電阻的作用就是抵消負(fù)阻成分防止振蕩的發(fā)生。這個(gè)電阻通常取數(shù)十至數(shù)百歐。在這里取值為R7=R8 =100-Q,。
C7的作用是對(duì)Tr．交流旁路，使得從Tr2、Tr3的柵極看進(jìn)去的阻抗相等。這樣能夠使MOSFET的輸入電容與前級(jí)輸出阻抗形成的低通濾波器的截止頻率在Tr2一側(cè)和Tr3一側(cè)基本相等。其結(jié)果，在高頻范圍能夠使Tr2和Tr3正確地互補(bǔ)工作，改善失真率。
C7的值愈大愈好。不過(guò)過(guò)于大的話電容器的體積也會(huì)增大，所以取C7=0.lpLF的薄層電容器。
C3、C4是OP放大器的電LM3S615-IQN50-C2去耦電容器。這里采用C3一C4一lOtlF/25V的電解電容器。
C5和C6是防止三端穩(wěn)壓電源發(fā)生振蕩所接入的電容。三端穩(wěn)壓電源也可以認(rèn)為是與OP放大器相同的負(fù)反饋放大電路，為了木發(fā)生振蕩同樣也需要有電源去耦電容器。這里使用C5=C6一0.luF的疊層陶瓷電容器。
R7和R8是防止MOSFET發(fā)生振蕩的重要電阻。由于MOSFET的柵極輸入阻抗非常高，所以給柵極串聯(lián)一個(gè)小的電阻不會(huì)產(chǎn)生不利影響。但是在高頻范圍MOSFET的輸入阻抗將降低。而且在某一頻率范圍往往會(huì)成為負(fù)阻——其大小是負(fù)值的電阻成分，會(huì)發(fā)生振蕩（關(guān)于負(fù)阻與振蕩的關(guān)系將在第14章介紹）。
在FET的柵極插入電阻的作用就是抵消負(fù)阻成分防止振蕩的發(fā)生。這個(gè)電阻通常取數(shù)十至數(shù)百歐。在這里取值為R7=R8 =100-Q,。
C7的作用是對(duì)Tr．交流旁路，使得從Tr2、Tr3的柵極看進(jìn)去的阻抗相等。這樣能夠使MOSFET的輸入電容與前級(jí)輸出阻抗形成的低通濾波器的截止頻率在Tr2一側(cè)和Tr3一側(cè)基本相等。其結(jié)果，在高頻范圍能夠使Tr2和Tr3正確地互補(bǔ)工作，改善失真率。
C7的值愈大愈好。不過(guò)過(guò)于大的話電容器的體積也會(huì)增大，所以取C7=0.lpLF的薄層電容器。
C5和C6是防止三端穩(wěn)壓電源發(fā)生振蕩所接入的電容。三端穩(wěn)壓電源也可以認(rèn)為是與OP放大器相同的負(fù)反饋放大電路，為了木發(fā)生振蕩同樣也需要有電源去耦電容器。這里使用C5=C6一0.luF的疊層陶瓷電容器。
R7和R8是防止MOSFET發(fā)生振蕩的重要電阻。由于MOSFET的柵極輸入阻抗非常高，所以給柵極串聯(lián)一個(gè)小的電阻不會(huì)產(chǎn)生不利影響。但是在高頻范圍MOSFET的輸入阻抗將降低。而且在某一頻率范圍往往會(huì)成為負(fù)阻——其大小是負(fù)值的電阻成分，會(huì)發(fā)生振蕩（關(guān)于負(fù)阻與振蕩的關(guān)系將在第14章介紹）。
在FET的柵極插入電阻的作用就是抵消負(fù)阻成分防止振蕩的發(fā)生。這個(gè)電阻通常取數(shù)十至數(shù)百歐。在這里取值為R7=R8 =100-Q,。
C7的作用是對(duì)Tr．交流旁路，使得從Tr2、Tr3的柵極看進(jìn)去的阻抗相等。這樣能夠使MOSFET的輸入電容與前級(jí)輸出阻抗形成的低通濾波器的截止頻率在Tr2一側(cè)和Tr3一側(cè)基本相等。其結(jié)果，在高頻范圍能夠使Tr2和Tr3正確地互補(bǔ)工作，改善失真率。
C7的值愈大愈好。不過(guò)過(guò)于大的話電容器的體積也會(huì)增大，所以取C7=0.lpLF的薄層電容器。
上一篇：輸入電路外圍使用的器件
相關(guān)技術(shù)資料- 5-24為使電路正常工作所加入的各元件
- 5-23選擇溫度補(bǔ)償用晶體管
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