電子濃度剖面
發(fā)布時(shí)間:2012/7/1 17:03:25 訪問次數(shù):1482
我們來看看電子濃度的GRM1555C1H3R0CZ01D垂直剖面。圖1顯示了兩個(gè)這樣的剖面,一個(gè)為太陽周期高峰期白天的,另一個(gè)則是低谷期的。對“小槍”來說,重要的是各個(gè)區(qū)域的高度——從低于100km到高于300km,分別是D-、E+、Fl和F2層以及各個(gè)電子濃度數(shù)值的幅度,從圖1所示的D層每立方厘米1000介左右的電子,到處于F層峰值處每立方厘米好幾百萬個(gè)的電子。
這些剖面適用于中緯度白天的情況。在晚上,F(xiàn)1層和F2層會合并在一起,E層濃度下降,而D層消失,在極地和赤道區(qū)域有不同的剖面,但“小槍”暫時(shí)不用為此操心。看著這些剖面,也許可以說,“小槍”主要是對F層峰值處的跳躍有些經(jīng)驗(yàn)。這是因?yàn)椤靶尅焙苤?jǐn)慎,使用了不會穿越F層峰值處的工作頻率,其結(jié)果是,“小槍”的電波跳躍距離取決于電波的輻射角度,以及所涉及的最高電離層區(qū)域的高度。
但是你無法控制所有從天線輻射出去的電波,所以有一些從“小槍”的天線發(fā)出來的高角度電波可能會穿越F層峰值處,并跑到了電離層的最高處。這就帶來了臨界頻率的概念,即用電波垂直入射進(jìn)行探查時(shí),電離層能擋回來的最高頻率。這種技巧,稱為電離層探測,用于探索電離層的主要特征,即各個(gè)電離層及其臨界頻率,例如foF、foF,和foF2。
在這方面,理論顯示,如果電波垂直入射到濃度為每立方米~個(gè)電子的區(qū)域,從這個(gè)高度怍為回聲返回的最高頻率fe(單位為MHz),可用下列方程式給出:fc=(9E-6)×SQRT(N)
以此作為參照,電離層探測者們這樣來探測頭頂?shù)碾娮訚舛,即把探測儀的電波脈;中導(dǎo)向垂直向上,同時(shí)以
0與~20MHz的頻率進(jìn)行掃描;芈曀ㄙM(fèi)的飛行時(shí)間顯示在一個(gè)示波器的埔上,而X軸顯示對應(yīng)的瞬時(shí)頻率。當(dāng)超過一個(gè)臨界頻率時(shí),例如E層的,電波穿過該層去到下一層,則顯示為回聲返回的時(shí)間突然有一個(gè)增加量,這是因?yàn)殡姴ㄈサ搅烁叩母叨取?BR> 隨著該項(xiàng)技術(shù)的發(fā)展,電離層的各個(gè)層被確立了,并伴隨著各個(gè)臨界頻率和高度的代表性數(shù)值。舉例來說,E層在白天存在,且臨界頻率foFE的范圍為0.5~4.5MHz,取決于本地的時(shí)間和緯度。而F1層白天也存在,其臨界頻率f。也相似地在0.5~6MHz的范圍內(nèi)。F2層對“小槍”的DXing更為重要,但它的臨界頻率變化相當(dāng)大,且對于太陽照射程度并沒有顯示出任何的簡單關(guān)系。
隨著探測技術(shù)的完善,臨界頻率的地理定位得到了不斷擴(kuò)展,以便在全球范圍內(nèi)查明,太陽照射在每天的時(shí)間和季節(jié)里,是如何影響電離層的。如前所述,E層在白天存在。圖2顯示了E層的臨界頻率foFE如何隨緯度以及本地時(shí)間而變化。囹2中最上面部分為春分/秋分,下面部分為夏至,這時(shí)的日下點(diǎn)位于北緯23.5?梢钥闯,foff在明暗分界線以外變成了很小的數(shù)值,明暗分界線將太陽照亮的區(qū)域和處于黑暗中的區(qū)域分隔開來。
研究電離圖可以獲得電離層的臨界頻率的信息。然而,高度信息卻顯得比較復(fù)雜,因?yàn)檎业诫姴}>中返回處的真實(shí)離地高度取決于對電子濃度剖面的認(rèn)識。盡管如此,電離層的虛擬高度可以通過計(jì)算來獲得,即計(jì)算一個(gè)脈>中以真空中的光速行進(jìn)而回到地面的距離,減半后就是脈j中到達(dá)的高度。當(dāng)從電離層剖面做出實(shí)際的電波路徑時(shí),這些區(qū)別會變得更明顯。
這為我們帶來了一個(gè)更加詳細(xì)的電離層結(jié)構(gòu)表示法,如圖3所示。這樣的電離層剖面由下列二者結(jié)合演化而來:一為由臨界頻率數(shù)據(jù)而派生出來的電子濃度,一為從研究電離圖所獲得的峰值或突起處的高度。特別重要的是,這些數(shù)據(jù)是使用線性的方法而得來的。因此,沒有不連續(xù)之處以及電子濃度的突然改變,這便于我們跟蹤電波通過電離層的路徑,而不會有任何異常的磕磕絆絆或路徑方向的突然偏離。
早前提到過,電離層跳躍并不總是一樣的,有幾個(gè)理由會造成變化,F(xiàn)在,我們已經(jīng)看過電離層剖面的大特寫了,每次跳躍會變化的原因也就清楚了,就足臨界頻率的變化,甚至電離層的高度也在變化,例如F層的峰值處。在一個(gè)太陽活動的周期內(nèi),太陽活動的變化也是其中一個(gè)原因,圖4顯示了正午時(shí)分的foFE、foF,、foF2是如何隨著太陽黑子數(shù)而變化的。我們用11MHz作為太陽黑子數(shù)為180時(shí)foF2的取值,用6MHz作為太陽黑子數(shù)為20時(shí)02的取值,利用之前給出的與臨界頻率和電子濃度相關(guān)的方程式,可顯示出這兩個(gè)極端情況下的電子濃度相差3.4倍。
當(dāng)我們跟蹤穿過電離層的電波路徑時(shí),這兩個(gè)極端情況下的電波跳躍距離會有很大的不同。但是這很抽象,“小槍”需要知道一些更實(shí)際的東西,比如說太陽黑子數(shù)是什么,以及在一個(gè)太陽活動周期內(nèi)這個(gè)數(shù)值是如何變化的。所以,下一篇文章,我們將了解“小槍”用什么方法來獲取太陽數(shù)據(jù)。
我們來看看電子濃度的GRM1555C1H3R0CZ01D垂直剖面。圖1顯示了兩個(gè)這樣的剖面,一個(gè)為太陽周期高峰期白天的,另一個(gè)則是低谷期的。對“小槍”來說,重要的是各個(gè)區(qū)域的高度——從低于100km到高于300km,分別是D-、E+、Fl和F2層以及各個(gè)電子濃度數(shù)值的幅度,從圖1所示的D層每立方厘米1000介左右的電子,到處于F層峰值處每立方厘米好幾百萬個(gè)的電子。
這些剖面適用于中緯度白天的情況。在晚上,F(xiàn)1層和F2層會合并在一起,E層濃度下降,而D層消失,在極地和赤道區(qū)域有不同的剖面,但“小槍”暫時(shí)不用為此操心。看著這些剖面,也許可以說,“小槍”主要是對F層峰值處的跳躍有些經(jīng)驗(yàn)。這是因?yàn)椤靶尅焙苤?jǐn)慎,使用了不會穿越F層峰值處的工作頻率,其結(jié)果是,“小槍”的電波跳躍距離取決于電波的輻射角度,以及所涉及的最高電離層區(qū)域的高度。
但是你無法控制所有從天線輻射出去的電波,所以有一些從“小槍”的天線發(fā)出來的高角度電波可能會穿越F層峰值處,并跑到了電離層的最高處。這就帶來了臨界頻率的概念,即用電波垂直入射進(jìn)行探查時(shí),電離層能擋回來的最高頻率。這種技巧,稱為電離層探測,用于探索電離層的主要特征,即各個(gè)電離層及其臨界頻率,例如foF、foF,和foF2。
在這方面,理論顯示,如果電波垂直入射到濃度為每立方米~個(gè)電子的區(qū)域,從這個(gè)高度怍為回聲返回的最高頻率fe(單位為MHz),可用下列方程式給出:fc=(9E-6)×SQRT(N)
以此作為參照,電離層探測者們這樣來探測頭頂?shù)碾娮訚舛,即把探測儀的電波脈;中導(dǎo)向垂直向上,同時(shí)以
0與~20MHz的頻率進(jìn)行掃描;芈曀ㄙM(fèi)的飛行時(shí)間顯示在一個(gè)示波器的埔上,而X軸顯示對應(yīng)的瞬時(shí)頻率。當(dāng)超過一個(gè)臨界頻率時(shí),例如E層的,電波穿過該層去到下一層,則顯示為回聲返回的時(shí)間突然有一個(gè)增加量,這是因?yàn)殡姴ㄈサ搅烁叩母叨取?BR> 隨著該項(xiàng)技術(shù)的發(fā)展,電離層的各個(gè)層被確立了,并伴隨著各個(gè)臨界頻率和高度的代表性數(shù)值。舉例來說,E層在白天存在,且臨界頻率foFE的范圍為0.5~4.5MHz,取決于本地的時(shí)間和緯度。而F1層白天也存在,其臨界頻率f。也相似地在0.5~6MHz的范圍內(nèi)。F2層對“小槍”的DXing更為重要,但它的臨界頻率變化相當(dāng)大,且對于太陽照射程度并沒有顯示出任何的簡單關(guān)系。
隨著探測技術(shù)的完善,臨界頻率的地理定位得到了不斷擴(kuò)展,以便在全球范圍內(nèi)查明,太陽照射在每天的時(shí)間和季節(jié)里,是如何影響電離層的。如前所述,E層在白天存在。圖2顯示了E層的臨界頻率foFE如何隨緯度以及本地時(shí)間而變化。囹2中最上面部分為春分/秋分,下面部分為夏至,這時(shí)的日下點(diǎn)位于北緯23.5。可以看出,foff在明暗分界線以外變成了很小的數(shù)值,明暗分界線將太陽照亮的區(qū)域和處于黑暗中的區(qū)域分隔開來。
研究電離圖可以獲得電離層的臨界頻率的信息。然而,高度信息卻顯得比較復(fù)雜,因?yàn)檎业诫姴}>中返回處的真實(shí)離地高度取決于對電子濃度剖面的認(rèn)識。盡管如此,電離層的虛擬高度可以通過計(jì)算來獲得,即計(jì)算一個(gè)脈>中以真空中的光速行進(jìn)而回到地面的距離,減半后就是脈j中到達(dá)的高度。當(dāng)從電離層剖面做出實(shí)際的電波路徑時(shí),這些區(qū)別會變得更明顯。
這為我們帶來了一個(gè)更加詳細(xì)的電離層結(jié)構(gòu)表示法,如圖3所示。這樣的電離層剖面由下列二者結(jié)合演化而來:一為由臨界頻率數(shù)據(jù)而派生出來的電子濃度,一為從研究電離圖所獲得的峰值或突起處的高度。特別重要的是,這些數(shù)據(jù)是使用線性的方法而得來的。因此,沒有不連續(xù)之處以及電子濃度的突然改變,這便于我們跟蹤電波通過電離層的路徑,而不會有任何異常的磕磕絆絆或路徑方向的突然偏離。
早前提到過,電離層跳躍并不總是一樣的,有幾個(gè)理由會造成變化,F(xiàn)在,我們已經(jīng)看過電離層剖面的大特寫了,每次跳躍會變化的原因也就清楚了,就足臨界頻率的變化,甚至電離層的高度也在變化,例如F層的峰值處。在一個(gè)太陽活動的周期內(nèi),太陽活動的變化也是其中一個(gè)原因,圖4顯示了正午時(shí)分的foFE、foF,、foF2是如何隨著太陽黑子數(shù)而變化的。我們用11MHz作為太陽黑子數(shù)為180時(shí)foF2的取值,用6MHz作為太陽黑子數(shù)為20時(shí)02的取值,利用之前給出的與臨界頻率和電子濃度相關(guān)的方程式,可顯示出這兩個(gè)極端情況下的電子濃度相差3.4倍。
當(dāng)我們跟蹤穿過電離層的電波路徑時(shí),這兩個(gè)極端情況下的電波跳躍距離會有很大的不同。但是這很抽象,“小槍”需要知道一些更實(shí)際的東西,比如說太陽黑子數(shù)是什么,以及在一個(gè)太陽活動周期內(nèi)這個(gè)數(shù)值是如何變化的。所以,下一篇文章,我們將了解“小槍”用什么方法來獲取太陽數(shù)據(jù)。
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