三極管輸人、輸出特性曲線(xiàn)
發(fā)布時(shí)間:2012/7/7 10:00:52 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):5164
三極管的輸入、輸出特性曲線(xiàn)可用BZT52C3V3S-7-F晶體管特性圖示儀進(jìn)行顯示或通過(guò)實(shí)驗(yàn)測(cè)繪出來(lái)。圖2-8是共發(fā)射極接法時(shí)的輸入特性曲線(xiàn)和輸出特性曲線(xiàn)測(cè)試的實(shí)驗(yàn)電路圖,圖2-9是三極管輸入特性曲線(xiàn)。
(一)輸入特性曲線(xiàn)
輸入特性曲線(xiàn)是指當(dāng)集射極電壓UCE為一定值時(shí),基極電流i。與基射極電壓UBE之間的關(guān)系曲線(xiàn)。即I/B=F(uBE)IUCE=常數(shù)
從圖2-9中可以看出,三極管輸入特性曲線(xiàn)的特點(diǎn)是:
當(dāng)UCE =0 V時(shí),集電極與發(fā)射極短接,相當(dāng)于兩個(gè)二極管并聯(lián),輸入特性類(lèi)似于二極管的正向伏安特性。
當(dāng)UCE≥1V時(shí),集電結(jié)處于反向偏置,其吸引電子的能力加強(qiáng),使得從發(fā)射區(qū)進(jìn)入基區(qū)的電子更多地流向集電區(qū),因此對(duì)應(yīng)于相同的UBE流向基極的電流i。比原來(lái)uCE一0時(shí)減小了,特性曲線(xiàn)右移,如圖2-9所示。
實(shí)際上,對(duì)于一般的NPN型硅管,當(dāng)UCE>1 V時(shí),只要UBE保持不變,則從發(fā)射區(qū)發(fā)射到基區(qū)的電子數(shù)目一定,而集電結(jié)所加的反向電壓大到1V后,已能把這些電子中的絕大部分吸引到集電極,所以即使UCE再增如,i。也不會(huì)有明顯的變化,因此UCE≥1V以后的特性曲線(xiàn)基本上重合。
從圖2-9可見(jiàn),三極管的輸入特性曲線(xiàn)和二極管的伏安特性曲線(xiàn)一樣,也有一段死區(qū)。只有當(dāng)發(fā)射結(jié)的外加電壓大于死區(qū)電壓時(shí),三極管才會(huì)有基極電流iB。硅管的死區(qū)電壓約為0.5 V,鍺管的死區(qū)電壓約為O.lV。在正常工作情況下,NPN型硅管的基射極電壓u匝=0.6~0.7V,鍺管的基射極電壓uBE =0.2~0.3V。
三極管的輸入、輸出特性曲線(xiàn)可用BZT52C3V3S-7-F晶體管特性圖示儀進(jìn)行顯示或通過(guò)實(shí)驗(yàn)測(cè)繪出來(lái)。圖2-8是共發(fā)射極接法時(shí)的輸入特性曲線(xiàn)和輸出特性曲線(xiàn)測(cè)試的實(shí)驗(yàn)電路圖,圖2-9是三極管輸入特性曲線(xiàn)。
(一)輸入特性曲線(xiàn)
輸入特性曲線(xiàn)是指當(dāng)集射極電壓UCE為一定值時(shí),基極電流i。與基射極電壓UBE之間的關(guān)系曲線(xiàn)。即I/B=F(uBE)IUCE=常數(shù)
從圖2-9中可以看出,三極管輸入特性曲線(xiàn)的特點(diǎn)是:
當(dāng)UCE =0 V時(shí),集電極與發(fā)射極短接,相當(dāng)于兩個(gè)二極管并聯(lián),輸入特性類(lèi)似于二極管的正向伏安特性。
當(dāng)UCE≥1V時(shí),集電結(jié)處于反向偏置,其吸引電子的能力加強(qiáng),使得從發(fā)射區(qū)進(jìn)入基區(qū)的電子更多地流向集電區(qū),因此對(duì)應(yīng)于相同的UBE流向基極的電流i。比原來(lái)uCE一0時(shí)減小了,特性曲線(xiàn)右移,如圖2-9所示。
實(shí)際上,對(duì)于一般的NPN型硅管,當(dāng)UCE>1 V時(shí),只要UBE保持不變,則從發(fā)射區(qū)發(fā)射到基區(qū)的電子數(shù)目一定,而集電結(jié)所加的反向電壓大到1V后,已能把這些電子中的絕大部分吸引到集電極,所以即使UCE再增如,i。也不會(huì)有明顯的變化,因此UCE≥1V以后的特性曲線(xiàn)基本上重合。
從圖2-9可見(jiàn),三極管的輸入特性曲線(xiàn)和二極管的伏安特性曲線(xiàn)一樣,也有一段死區(qū)。只有當(dāng)發(fā)射結(jié)的外加電壓大于死區(qū)電壓時(shí),三極管才會(huì)有基極電流iB。硅管的死區(qū)電壓約為0.5 V,鍺管的死區(qū)電壓約為O.lV。在正常工作情況下,NPN型硅管的基射極電壓u匝=0.6~0.7V,鍺管的基射極電壓uBE =0.2~0.3V。
上一篇:輸出特性曲線(xiàn)
熱門(mén)點(diǎn)擊
- 三極管輸人、輸出特性曲線(xiàn)
- 溫度對(duì)二極管伏安特性的影響
- 放大電路的頻率響應(yīng)
- FU805
- 串聯(lián)反饋式穩(wěn)壓電路的工作原理
- 串聯(lián)反饋式穩(wěn)壓電路的組成
- 位置控制模式
- 集成運(yùn)放在音頻電路中的應(yīng)用
- 機(jī)器人走迷宮比賽
- 通常設(shè)計(jì)中采用的全波整流毫伏表電路
推薦技術(shù)資料
- 滑雪繞樁機(jī)器人
- 本例是一款非常有趣,同時(shí)又有一定調(diào)試難度的玩法。EDE2116AB... [詳細(xì)]
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開(kāi)
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門(mén)信號(hào)調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
- SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1應(yīng)
- RISC技術(shù)8位微控制器參數(shù)設(shè)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究