三極管的輸入、輸出特性曲線可用BZT52C3V3S-7-F晶體管特性圖示儀進行顯示或通過實驗測繪出來。圖2-8是共發(fā)射極接法時的輸入特性曲線和輸出特性曲線測試的實驗電路圖，圖2-9是三極管輸入特性曲線。

             
 
    （一）輸入特性曲線
    輸入特性曲線是指當集射極電壓UCE為一定值時，基極電流i。與基射極電壓UBE之間的關(guān)系曲線。即I/B=F(uBE)IUCE=常數(shù)
    從圖2-9中可以看出，三極管輸入特性曲線的特點是：
    當UCE =0 V時，集電極與發(fā)射極短接，相當于兩個二極管并聯(lián)，輸入特性類似于二極管的正向伏安特性。
    當UCE≥1V時，集電結(jié)處于反向偏置，其吸引電子的能力加強，使得從發(fā)射區(qū)進入基區(qū)的電子更多地流向集電區(qū)，因此對應于相同的UBE流向基極的電流i。比原來uCE一0時減小了，特性曲線右移，如圖2-9所示。
    實際上，對于一般的NPN型硅管，當UCE>1 V時，只要UBE保持不變，則從發(fā)射區(qū)發(fā)射到基區(qū)的電子數(shù)目一定，而集電結(jié)所加的反向電壓大到1V后，已能把這些電子中的絕大部分吸引到集電極，所以即使UCE再增如，i。也不會有明顯的變化，因此UCE≥1V以后的特性曲線基本上重合。
    從圖2-9可見，三極管的輸入特性曲線和二極管的伏安特性曲線一樣，也有一段死區(qū)。只有當發(fā)射結(jié)的外加電壓大于死區(qū)電壓時，三極管才會有基極電流iB。硅管的死區(qū)電壓約為0.5 V，鍺管的死區(qū)電壓約為O.lV。在正常工作情況下，NPN型硅管的基射極電壓u匝=0.6～0.7V，鍺管的基射極電壓uBE =0.2～0.3V。