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三極管輸人、輸出特性曲線(xiàn)

發(fā)布時(shí)間:2012/7/7 10:00:52 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):5164

    三極管的輸入、輸出特性曲線(xiàn)可用BZT52C3V3S-7-F晶體管特性圖示儀進(jìn)行顯示或通過(guò)實(shí)驗(yàn)測(cè)繪出來(lái)。圖2-8是共發(fā)射極接法時(shí)的輸入特性曲線(xiàn)和輸出特性曲線(xiàn)測(cè)試的實(shí)驗(yàn)電路圖,圖2-9是三極管輸入特性曲線(xiàn)。

             
 
    (一)輸入特性曲線(xiàn)
    輸入特性曲線(xiàn)是指當(dāng)集射極電壓UCE為一定值時(shí),基極電流i。與基射極電壓UBE之間的關(guān)系曲線(xiàn)。即I/B=F(uBE)IUCE=常數(shù)
    從圖2-9中可以看出,三極管輸入特性曲線(xiàn)的特點(diǎn)是:
    當(dāng)UCE =0 V時(shí),集電極與發(fā)射極短接,相當(dāng)于兩個(gè)二極管并聯(lián),輸入特性類(lèi)似于二極管的正向伏安特性。
    當(dāng)UCE≥1V時(shí),集電結(jié)處于反向偏置,其吸引電子的能力加強(qiáng),使得從發(fā)射區(qū)進(jìn)入基區(qū)的電子更多地流向集電區(qū),因此對(duì)應(yīng)于相同的UBE流向基極的電流i。比原來(lái)uCE一0時(shí)減小了,特性曲線(xiàn)右移,如圖2-9所示。
    實(shí)際上,對(duì)于一般的NPN型硅管,當(dāng)UCE>1 V時(shí),只要UBE保持不變,則從發(fā)射區(qū)發(fā)射到基區(qū)的電子數(shù)目一定,而集電結(jié)所加的反向電壓大到1V后,已能把這些電子中的絕大部分吸引到集電極,所以即使UCE再增如,i。也不會(huì)有明顯的變化,因此UCE≥1V以后的特性曲線(xiàn)基本上重合。
    從圖2-9可見(jiàn),三極管的輸入特性曲線(xiàn)和二極管的伏安特性曲線(xiàn)一樣,也有一段死區(qū)。只有當(dāng)發(fā)射結(jié)的外加電壓大于死區(qū)電壓時(shí),三極管才會(huì)有基極電流iB。硅管的死區(qū)電壓約為0.5 V,鍺管的死區(qū)電壓約為O.lV。在正常工作情況下,NPN型硅管的基射極電壓u匝=0.6~0.7V,鍺管的基射極電壓uBE =0.2~0.3V。

    三極管的輸入、輸出特性曲線(xiàn)可用BZT52C3V3S-7-F晶體管特性圖示儀進(jìn)行顯示或通過(guò)實(shí)驗(yàn)測(cè)繪出來(lái)。圖2-8是共發(fā)射極接法時(shí)的輸入特性曲線(xiàn)和輸出特性曲線(xiàn)測(cè)試的實(shí)驗(yàn)電路圖,圖2-9是三極管輸入特性曲線(xiàn)。

             
 
    (一)輸入特性曲線(xiàn)
    輸入特性曲線(xiàn)是指當(dāng)集射極電壓UCE為一定值時(shí),基極電流i。與基射極電壓UBE之間的關(guān)系曲線(xiàn)。即I/B=F(uBE)IUCE=常數(shù)
    從圖2-9中可以看出,三極管輸入特性曲線(xiàn)的特點(diǎn)是:
    當(dāng)UCE =0 V時(shí),集電極與發(fā)射極短接,相當(dāng)于兩個(gè)二極管并聯(lián),輸入特性類(lèi)似于二極管的正向伏安特性。
    當(dāng)UCE≥1V時(shí),集電結(jié)處于反向偏置,其吸引電子的能力加強(qiáng),使得從發(fā)射區(qū)進(jìn)入基區(qū)的電子更多地流向集電區(qū),因此對(duì)應(yīng)于相同的UBE流向基極的電流i。比原來(lái)uCE一0時(shí)減小了,特性曲線(xiàn)右移,如圖2-9所示。
    實(shí)際上,對(duì)于一般的NPN型硅管,當(dāng)UCE>1 V時(shí),只要UBE保持不變,則從發(fā)射區(qū)發(fā)射到基區(qū)的電子數(shù)目一定,而集電結(jié)所加的反向電壓大到1V后,已能把這些電子中的絕大部分吸引到集電極,所以即使UCE再增如,i。也不會(huì)有明顯的變化,因此UCE≥1V以后的特性曲線(xiàn)基本上重合。
    從圖2-9可見(jiàn),三極管的輸入特性曲線(xiàn)和二極管的伏安特性曲線(xiàn)一樣,也有一段死區(qū)。只有當(dāng)發(fā)射結(jié)的外加電壓大于死區(qū)電壓時(shí),三極管才會(huì)有基極電流iB。硅管的死區(qū)電壓約為0.5 V,鍺管的死區(qū)電壓約為O.lV。在正常工作情況下,NPN型硅管的基射極電壓u匝=0.6~0.7V,鍺管的基射極電壓uBE =0.2~0.3V。

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