在LC振蕩電路中，若要產(chǎn)生BZX55C5V6(1/2W-5.6V)低頻的振蕩，則必須使用又大又重的大容量的電容器及線(xiàn)圈，故不實(shí)用。為此，使用僅由R和C實(shí)現(xiàn)正反饋的RC振蕩電路產(chǎn)生低頻振蕩。RC振蕩電路中有用移相電路實(shí)現(xiàn)正反饋的移相式電路和由于兩級(jí)放大電路的輸出信號(hào)與初級(jí)輸入信號(hào)的相位差為0而在輸入端呈現(xiàn)正反饋的橋式電路等。
    移相180。實(shí)現(xiàn)正反饋的移相式
    移相式振蕩電路由如圖4.120所示的放大電路和移相電路構(gòu)成。
放大電路的輸出電流用三級(jí)移相電路移相180^。，在輸入端形成正反饋，每一級(jí)的相位差為60^。。相位以超前的形式實(shí)現(xiàn)正反饋的電路稱(chēng)為HP導(dǎo)前移相式（高通），而以滯后形式實(shí)現(xiàn)的稱(chēng)為L(zhǎng)P滯后移相式（低通），如圖4.121所示。
    圖4.121是移相式振蕩電路的原理圖。僅將HP式移相電路中的一級(jí)電路在圖4. 122中畫(huà)出，用以分析相位的移動(dòng)情況。
    若以砜為參考基準(zhǔn)，則IR為同相。起前90^。。若選擇R和C，因此若將這樣的電路三級(jí)級(jí)聯(lián)，則相位超前180^。，對(duì)放大電路實(shí)現(xiàn)正反饋而產(chǎn)生振蕩。如果將HP型中的R和C互換，就形成LP型電路。