雙極晶體管是以流過的LF347N基極電流工�？刂萍姌O電流I，所以IB與Ic之比——直流電流放大系數(shù)hFE就成為器件的重要特性。
    對于FET，如圖2.10所示，是通過改變柵極一源極間電壓VGS控制漏極電流ID的，所以VGS與ID之比就成為器件的重要特性。把這個比值稱為跨導(dǎo)g。（也叫做正向傳輸導(dǎo)納1YfS1），用下式表示：

                
    
    式中，AVGS為VGS的變化量，AID為工D的變化量。
    圖2. 10的傳輸特性中曲線的斜率相當(dāng)于g，它的單位是電流與電壓之比，即S（西[門子]）。
    gM意味著當(dāng)輸入電壓(VGS)變化時輸出電流（ID）會有多大的變化，可以認(rèn)為是器件本身電流對電壓的增益。在使用FET的放大電路中，gm愈大則電路的增益愈大，具有能夠減小輸出阻抗的優(yōu)點。
    但是，gm大的FET存在著輸入電容大因而高頻特性差，流過柵極的漏電流大（輸入阻抗低）等缺點。