圖2.11是圖2.1電路中LF347N使用的N溝JFET 2SK184(東芝)的傳輸特性。圖中的多根曲線說明器件特性存在分散性。

   （即使同一型號(hào)的FET，IDSS的分散性也會(huì)很大。因此，ID為ImA時(shí)的VGS會(huì)在-0.7～-O.1V范圍變動(dòng)。但是不論什么樣的雙極晶體管，它們的VBE都在0.6—0.7V之間）
    實(shí)際的FET的漏極飽和電流IDSS具有較大的分散性。由于IDSS的原因，使得ID為零時(shí)的電壓——夾斷電壓V。也有變化。
    雙極晶體管的特性是按直流電流放大系數(shù)值矗FE分檔次的。但是對于FET不是按跨導(dǎo)g。而是按IDSS區(qū)分檔次。g。與IDSS之間有關(guān)系，IDSS愈大，gm也愈大（如果是同型號(hào)的FET，IDSS愈大，傳輸特性曲線的斜率愈大，因而gm也大）。
    表2.1是2SK184的IDSS各檔次。東芝器件的IDSS、hFE的檔次是用Y（黃）、R（紅）等顏色標(biāo)記的。有的公司是用羅馬字母標(biāo)記的。
    (JFET的IDSS的分散性大，因此按照IDSS的值進(jìn)行分檔)
    圖2.1的電路中，ID約為ImA，由圖2.11看出，由于電路中使用的FET的IDSS值存在分散性，VGS在-0.7—-0.1V的范圍內(nèi)變動(dòng)。

              
    照片2.8是圖2.1電路中使用的2SK184的柵極電位口。與源極電位口。的波形（設(shè)定輸入信號(hào)砂i為lkHz，0.5Vp-p）。
    由于VG。是口。與可。的直流成分之差，從照片看出這里使用的2SK184的VGS為-0.4V(以源極電位為基準(zhǔn)，所以是負(fù)值)。因此，從圖2.11中ID為ImA的線與VGS～-0.4V的線的交叉點(diǎn)可以看出這里使用的2SK184的IDSS約為6.5mA。
    實(shí)際上設(shè)計(jì)電路時(shí)的情況與此相反，從所使用FET的IDSS檔次找到IDSS，從傳輸特特性曲線確定電路工作點(diǎn)的VGS值。