由于源極接地放大電路LM324N的電壓放大倍數(shù)A，與VGS、g。沒有關(guān)系，所以不論使用哪種FET器件其結(jié)果都應(yīng)該是相同的。
    那么，我們試更換圖3.1電路中FET的品種，比較它們的放大倍數(shù)。
    照片3.1是原來圖3.1的電路，即就是使用2SK184 FET的情況。所看到的是當(dāng)輸入電壓VI=0.5VP-P(lkHz)時源極電位可。與漏極電位Vd的波形。由于Vd的交流成分Avd約為1.5V，所以交流放大倍數(shù)A，為3（=1.5VP-P10. sVP-P）。
            
    照片3.2是圖3.1的電路中用耗盡型MOSFET 2SK241替換2SK184時勘。和Vd的波形。Vd的交流成分Avd與照片3.1相同，都是1.5V，所以AV=3。

             
  
    照片3.3是同樣的電路中使用增強(qiáng)型MOSFET 2SK612時u。和Vd的渡形。它的VGS與2SK184完全不同，所以Vd的直流成分VD與照片3.1差別很大，但是Avd為1.5V，與照片3.1相同。因此這時也是AV=3。
    由此可以看出，即使使用VGS和g。完全不同的FET，只要RD和Rs的值相同，其結(jié)果如從式(3.11)得到的那樣，A，是一定值。