圖3.24是用圖3.23(a)的方法改LM431AIZ變圖3.1電路的放大倍數(shù)時(shí)電壓增益的頻率特性。圖中的A，是由式(3.11)求得的計(jì)算值(AV=C。/(RD∥R》。可以看出，當(dāng)降低源極交流電阻值時(shí)，放大倍數(shù)將變大。

   (這是用圖3.23(a)的方法改變圖3.1電路的增益。圖中的A，是用式(3.11)求得的計(jì)算值。特別是當(dāng)R—O,O時(shí)源極電阻也為0Q，得到該電路的最大增益約為33dB，稍微小了些）
    特別是當(dāng)R=Ofl時(shí)，由于源極通過電容直接接地，理論計(jì)算的A，將為但是如圖3.24所示，實(shí)際電路中的值為33dB(約45倍)。這是該電路所熊夠得到的最大增益。
    對(duì)于雙極晶體管，這個(gè)最大增益值與hFE有關(guān)；對(duì)于FET則與g。有關(guān)。
    當(dāng)源極交流接地時(shí)，如圖3.25所示，柵極一源極間電壓VGS的變化量AVG。等于輸入電壓Vi。而輸出電壓u。為漏極電流的變化量AID與漏極電阻RD之積，所以能夠?qū)崿F(xiàn)的最大增益為：
                
   這就是說，為了提高AVMAX，可以增大gm或者增大RD。但是從電路結(jié)構(gòu)上考慮，RD不能夠很大(充其量iokfl)。所以，使用JFET單管放大電路能夠得到的最大增益約為30～40dB。
    雙極晶體管的矗FE值在100 N1000范圍，它的單管電路增大增益約為40～60dB。所以用JFET得到的增益比用晶體管稍低些（但是功率MOSFET有些不同），這是FET的缺點(diǎn)之一。