噪聲特性
發(fā)布時(shí)間:2012/8/16 20:13:21 訪問次數(shù):935
圖3.26是將輸入端接GND時(shí)LM386N-3測得的輸出端噪聲頻譜(o~iokHz)。
在千赫附近,為-llOdBm(換算為電壓約為0.7tiV)。作為絕對值這個(gè)值是非常小昀,所以噪聲很小。
圖3.27是將圖3.1電路中的2SK184換為2SK2458進(jìn)行測定得到的噪聲特性。圖3.27的值與圖3.26基本相同,由此可以看出只要是單管放大器,F(xiàn)ET與雙極晶體管的噪聲特性基本相同。
從圖3.26還可看出低頻附近的噪聲較大。這應(yīng)該是實(shí)驗(yàn)中所使用的+15V電源(三端調(diào)整器)引起的。
因此,如圖3.28歷示,在電源與RD之間簡單地接入RC濾波器以除去電源的噪聲。
圖3.29是這時(shí)的噪聲特性?梢钥吹接捎诔チ穗娫吹脑肼,低頻附近噪聲顯著被減少了。
由于源極接地放大電路是將取出輸出的電阻RD直接與電源連接的,所以即使電源有噪聲,這個(gè)噪聲通過RD流向輸出端。
所以,當(dāng)希望降低源極接地放大電路的噪聲時(shí),還應(yīng)該注意電源的噪聲。圖3.28中那種簡單的濾波器還是有效的。
圖3.26是將輸入端接GND時(shí)LM386N-3測得的輸出端噪聲頻譜(o~iokHz)。
在千赫附近,為-llOdBm(換算為電壓約為0.7tiV)。作為絕對值這個(gè)值是非常小昀,所以噪聲很小。
圖3.27是將圖3.1電路中的2SK184換為2SK2458進(jìn)行測定得到的噪聲特性。圖3.27的值與圖3.26基本相同,由此可以看出只要是單管放大器,F(xiàn)ET與雙極晶體管的噪聲特性基本相同。
從圖3.26還可看出低頻附近的噪聲較大。這應(yīng)該是實(shí)驗(yàn)中所使用的+15V電源(三端調(diào)整器)引起的。
因此,如圖3.28歷示,在電源與RD之間簡單地接入RC濾波器以除去電源的噪聲。
圖3.29是這時(shí)的噪聲特性?梢钥吹接捎诔チ穗娫吹脑肼,低頻附近噪聲顯著被減少了。
由于源極接地放大電路是將取出輸出的電阻RD直接與電源連接的,所以即使電源有噪聲,這個(gè)噪聲通過RD流向輸出端。
所以,當(dāng)希望降低源極接地放大電路的噪聲時(shí),還應(yīng)該注意電源的噪聲。圖3.28中那種簡單的濾波器還是有效的。
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