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選擇源極跟隨器用的FET

發(fā)布時(shí)間:2012/8/18 13:06:16 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):1197

    先討論輸出級(jí)使UC3844BN用的MOSFET的選擇條件。
    整流電路的輸出就是源極跟隨器部分的電源電壓,即±19.5V。當(dāng)輸出電壓達(dá)到正負(fù)峰值時(shí),Tr2。、Tr3的漏極一源極間所加的電壓是正電源與負(fù)電源之間的電壓。這就是說(shuō)Tr2、Tr3的漏極一源極間所加的電壓有可能達(dá)到39V。
    由于給8Q負(fù)載(揚(yáng)聲器)輸出10W時(shí)電路的輸出電流是1.4A。eak,所以Tr:、Tr3的漏極電流最大可能達(dá)到1.4A。
    再考慮器件的功率損耗。為了減小輸出級(jí)源極跟隨器的功率損耗,設(shè)定電路工作在B類(lèi)狀態(tài)。
    一般來(lái)說(shuō),B類(lèi)工作狀態(tài)的推挽射極跟隨器中單管功率損耗PD的最大值是電路最大輸出功率的1/5(詳見(jiàn)參考文獻(xiàn)[7])。由于最大輸出功率是10W,所以PD=2W。
    因此,對(duì)于輸出級(jí)MOSFET的Tr2、Tr3必須使用絕對(duì)最大額定值漏極一源極間電壓VIⅪ在39V以上,漏極電流在1.6A以上,功率損耗PD在2W以上的器件。這里就手頭所有,選用低頻功率放大用互補(bǔ)對(duì)2SJ200,2SK1529。表5.1、表5.2分別列出它們的特性。

             
 
    2SJ200和2SK1529器件按照截止時(shí)柵極一源極間電壓的大小分為0和Y兩檔,無(wú)論使用哪一檔都可以。
    但是從上下兩個(gè)器件的特性應(yīng)該一致的意義上,Tr2、Tr3的檔次應(yīng)該相同(如果上下兩個(gè)器件的檔次不同,失真率稍有影響,不過(guò)對(duì)電路的工作沒(méi)有影響)。
    從器件的最大額定值看出,這種大型器件應(yīng)用于本電路中顯得大材小用(在100W級(jí)的功率放大器中都能使用)。只要滿(mǎn)足前面的條件(有一定的余量),可以使用比較小型的器件。

             

    先討論輸出級(jí)使UC3844BN用的MOSFET的選擇條件。
    整流電路的輸出就是源極跟隨器部分的電源電壓,即±19.5V。當(dāng)輸出電壓達(dá)到正負(fù)峰值時(shí),Tr2。、Tr3的漏極一源極間所加的電壓是正電源與負(fù)電源之間的電壓。這就是說(shuō)Tr2、Tr3的漏極一源極間所加的電壓有可能達(dá)到39V。
    由于給8Q負(fù)載(揚(yáng)聲器)輸出10W時(shí)電路的輸出電流是1.4A。eak,所以Tr:、Tr3的漏極電流最大可能達(dá)到1.4A。
    再考慮器件的功率損耗。為了減小輸出級(jí)源極跟隨器的功率損耗,設(shè)定電路工作在B類(lèi)狀態(tài)。
    一般來(lái)說(shuō),B類(lèi)工作狀態(tài)的推挽射極跟隨器中單管功率損耗PD的最大值是電路最大輸出功率的1/5(詳見(jiàn)參考文獻(xiàn)[7])。由于最大輸出功率是10W,所以PD=2W。
    因此,對(duì)于輸出級(jí)MOSFET的Tr2、Tr3必須使用絕對(duì)最大額定值漏極一源極間電壓VIⅪ在39V以上,漏極電流在1.6A以上,功率損耗PD在2W以上的器件。這里就手頭所有,選用低頻功率放大用互補(bǔ)對(duì)2SJ200,2SK1529。表5.1、表5.2分別列出它們的特性。

             
 
    2SJ200和2SK1529器件按照截止時(shí)柵極一源極間電壓的大小分為0和Y兩檔,無(wú)論使用哪一檔都可以。
    但是從上下兩個(gè)器件的特性應(yīng)該一致的意義上,Tr2、Tr3的檔次應(yīng)該相同(如果上下兩個(gè)器件的檔次不同,失真率稍有影響,不過(guò)對(duì)電路的工作沒(méi)有影響)。
    從器件的最大額定值看出,這種大型器件應(yīng)用于本電路中顯得大材小用(在100W級(jí)的功率放大器中都能使用)。只要滿(mǎn)足前面的條件(有一定的余量),可以使用比較小型的器件。

             

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