選擇溫度補(bǔ)償用晶體管
發(fā)布時(shí)間:2012/8/18 13:10:38 訪問次數(shù):617
下面確定溫度補(bǔ)償用TL7705ACP的晶體管Tri。只要這個(gè)晶體管集電極電流Ic的最大額定值在6. 5mA以上（Tr4或Trs的IDSS的最大值），集電極一發(fā)射極電壓的最大額定值在幾伏以上（一MOSFET的柵極一柵極間的偏置電壓值，關(guān)于這個(gè)值將在后面將作說明），什么樣的器件都可以。
考慮到與Trz、Tr3的熱耦合，選用T0126全模封裝——金屬部分不暴露出的絕緣型封裝的低頻中功率放大用晶體管2SC3423(東芝)。表5.3列出了2SC3423的特陛。
這個(gè)電路中流過基極側(cè)(Rs、VRi、R6)的電流i。由Rs決定（因?yàn)镽s的電壓降是Tri的VBE）。為了可以忽略基極電流，取毛大于集電極電流的1/10。這里取IB=-0.5mA(集電極電流為從電流源的設(shè)定電流1.2～6. 5mA扣除這個(gè)0.5mA的值)。所以．Rs =1.2kfl(約0.6V/O.5mA)。
考慮到與Trz、Tr3的熱耦合，選用T0126全模封裝——金屬部分不暴露出的絕緣型封裝的低頻中功率放大用晶體管2SC3423(東芝)。表5.3列出了2SC3423的特陛。
這個(gè)電路中流過基極側(cè)(Rs、VRi、R6)的電流i。由Rs決定（因?yàn)镽s的電壓降是Tri的VBE）。為了可以忽略基極電流，取毛大于集電極電流的1/10。這里取IB=-0.5mA(集電極電流為從電流源的設(shè)定電流1.2～6. 5mA扣除這個(gè)0.5mA的值)。所以．Rs =1.2kfl(約0.6V/O.5mA)。
下面確定溫度補(bǔ)償用TL7705ACP的晶體管Tri。只要這個(gè)晶體管集電極電流Ic的最大額定值在6. 5mA以上（Tr4或Trs的IDSS的最大值），集電極一發(fā)射極電壓的最大額定值在幾伏以上（一MOSFET的柵極一柵極間的偏置電壓值，關(guān)于這個(gè)值將在后面將作說明），什么樣的器件都可以。
考慮到與Trz、Tr3的熱耦合，選用T0126全模封裝——金屬部分不暴露出的絕緣型封裝的低頻中功率放大用晶體管2SC3423(東芝)。表5.3列出了2SC3423的特陛。
這個(gè)電路中流過基極側(cè)(Rs、VRi、R6)的電流i。由Rs決定（因?yàn)镽s的電壓降是Tri的VBE）。為了可以忽略基極電流，取毛大于集電極電流的1/10。這里取IB=-0.5mA(集電極電流為從電流源的設(shè)定電流1.2～6. 5mA扣除這個(gè)0.5mA的值)。所以．Rs =1.2kfl(約0.6V/O.5mA)。
考慮到與Trz、Tr3的熱耦合，選用T0126全模封裝——金屬部分不暴露出的絕緣型封裝的低頻中功率放大用晶體管2SC3423(東芝)。表5.3列出了2SC3423的特陛。
這個(gè)電路中流過基極側(cè)(Rs、VRi、R6)的電流i。由Rs決定（因?yàn)镽s的電壓降是Tri的VBE）。為了可以忽略基極電流，取毛大于集電極電流的1/10。這里取IB=-0.5mA(集電極電流為從電流源的設(shè)定電流1.2～6. 5mA扣除這個(gè)0.5mA的值)。所以．Rs =1.2kfl(約0.6V/O.5mA)。
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