棚一陰放大連接自舉電路
發(fā)布時(shí)間:2012/8/19 20:48:01 訪問次數(shù):1151
圖6.16的電路稱為柵一TLC7524CN陰放大連接自舉電路。
電子電路中,“以自身力量工作,或者使自身能力提高”的電路稱為自舉電路。
該圖與圖6.14所示柵一陰放大連接電路的不同之處只是Tr2的柵極與Tri的源極連接。
一般的柵一陰放大連接中是給Tr2的柵極加直流偏壓,所以Tri的漏極電位由Tr2的源極決定,通常是固定值。因此Tri的漏極一源極間電壓與輸入信號(hào)有關(guān),經(jīng)常是變化的(變化部分與輸入信號(hào)的振幅相同)。
所謂漏極一源極間電壓經(jīng)常變化也就是FET的工作點(diǎn)經(jīng)常變化,所以從輸入端看到器件的輸入電容CiSS和g。等也會(huì)發(fā)生微妙的變化。
但是圖6.16所示的電路中把Trz的柵極連接在Tri的源極上,Tr2的柵極電位與輸入信號(hào)對(duì)應(yīng)地變化。如果Tr2的柵極電位發(fā)生變化,同時(shí)要保持VGS的值一定,Trz的源極電位就要變動(dòng),其結(jié)果就能夠經(jīng)常保持Tri的漏極一源極間電壓一定。這時(shí)Tri的漏極一源極間電壓就與輸入信號(hào)無關(guān),變成Tr2的%。值。
就是說,這個(gè)電路通過自身的輸出(Tri的源極),總能夠保持自身工作點(diǎn)一定,從而提高電路的特性。
如果能夠保持源極接地的FET漏極一源極間電壓為一定值,使電路的工作點(diǎn)固定,那么當(dāng)輸入信號(hào)變大時(shí)的頻率特性和輸入輸出間的線性關(guān)系也能夠得到改善,使得一直到高頻范圍都能夠保持電路的工作穩(wěn)定。所以,柵一陰放大連接自舉電路經(jīng)常應(yīng)用在高頻放大電路或者OP放大器的內(nèi)部。
與柵一陰放大連接電路相比,由于少了柵極接地FET的柵極偏置電路,所以電路的設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單了(只是把Trz的柵極連接在Tri的源極上)。所使用的FET選擇ID};S高于設(shè)定的漏極電流的器件(Tri、Trz都是這樣)。圖6.16中Tri、Tr2使用楣同的FET,只要滿足IDSS的條件,改變這兩個(gè)FET的型號(hào)也完全沒有問題。
如圖6.17所示,使用晶體管的基極接地也能夠?qū)⒃礃O接地柵一陰放大連接自舉化。但是,由于晶體管V BE的極性與JFET的VGS極性相反(如果把圖6.17中Tr2的基極直接與Tri的源極連接,將不會(huì)產(chǎn)生Tri漏極一源極間的電壓),還必須保證有基極電流流動(dòng)等原因,所以電路稍微復(fù)雜些。
在柵極接地一側(cè)也可以使用MOSFET實(shí)現(xiàn)柵一陰放大連接自舉化。不過必須注意VGS的極性也可能與JFET相反(必須慎重選擇工作點(diǎn),或者作成如圖6.17那樣的電路)。
圖6.16的電路稱為柵一TLC7524CN陰放大連接自舉電路。
電子電路中,“以自身力量工作,或者使自身能力提高”的電路稱為自舉電路。
該圖與圖6.14所示柵一陰放大連接電路的不同之處只是Tr2的柵極與Tri的源極連接。
一般的柵一陰放大連接中是給Tr2的柵極加直流偏壓,所以Tri的漏極電位由Tr2的源極決定,通常是固定值。因此Tri的漏極一源極間電壓與輸入信號(hào)有關(guān),經(jīng)常是變化的(變化部分與輸入信號(hào)的振幅相同)。
所謂漏極一源極間電壓經(jīng)常變化也就是FET的工作點(diǎn)經(jīng)常變化,所以從輸入端看到器件的輸入電容CiSS和g。等也會(huì)發(fā)生微妙的變化。
但是圖6.16所示的電路中把Trz的柵極連接在Tri的源極上,Tr2的柵極電位與輸入信號(hào)對(duì)應(yīng)地變化。如果Tr2的柵極電位發(fā)生變化,同時(shí)要保持VGS的值一定,Trz的源極電位就要變動(dòng),其結(jié)果就能夠經(jīng)常保持Tri的漏極一源極間電壓一定。這時(shí)Tri的漏極一源極間電壓就與輸入信號(hào)無關(guān),變成Tr2的%。值。
就是說,這個(gè)電路通過自身的輸出(Tri的源極),總能夠保持自身工作點(diǎn)一定,從而提高電路的特性。
如果能夠保持源極接地的FET漏極一源極間電壓為一定值,使電路的工作點(diǎn)固定,那么當(dāng)輸入信號(hào)變大時(shí)的頻率特性和輸入輸出間的線性關(guān)系也能夠得到改善,使得一直到高頻范圍都能夠保持電路的工作穩(wěn)定。所以,柵一陰放大連接自舉電路經(jīng)常應(yīng)用在高頻放大電路或者OP放大器的內(nèi)部。
與柵一陰放大連接電路相比,由于少了柵極接地FET的柵極偏置電路,所以電路的設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單了(只是把Trz的柵極連接在Tri的源極上)。所使用的FET選擇ID};S高于設(shè)定的漏極電流的器件(Tri、Trz都是這樣)。圖6.16中Tri、Tr2使用楣同的FET,只要滿足IDSS的條件,改變這兩個(gè)FET的型號(hào)也完全沒有問題。
如圖6.17所示,使用晶體管的基極接地也能夠?qū)⒃礃O接地柵一陰放大連接自舉化。但是,由于晶體管V BE的極性與JFET的VGS極性相反(如果把圖6.17中Tr2的基極直接與Tri的源極連接,將不會(huì)產(chǎn)生Tri漏極一源極間的電壓),還必須保證有基極電流流動(dòng)等原因,所以電路稍微復(fù)雜些。
在柵極接地一側(cè)也可以使用MOSFET實(shí)現(xiàn)柵一陰放大連接自舉化。不過必須注意VGS的極性也可能與JFET相反(必須慎重選擇工作點(diǎn),或者作成如圖6.17那樣的電路)。
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