源極跟隨器的設(shè)計(jì)
發(fā)布時(shí)間:2012/8/20 19:36:10 訪問次數(shù):713
如果輸入級(jí)源極跟隨TLC274CN器使用跨導(dǎo)g。大的器件,可以降低反轉(zhuǎn)輸入端的阻抗,提高電路的性能。但是,對(duì)于gm大的增強(qiáng)型FET,如果不注意輸入偏置的話將會(huì)發(fā)生轉(zhuǎn)換失真。而且如圖7.8所示,如果用電阻分配偏置電壓,那么由于電源的(如果使用增強(qiáng)型FET,由于gm大而使輸出阻抗降低。但是,可以在偏置上作改進(jìn)。在簡單的電阻構(gòu)成的偏置電路中,在輸出會(huì)產(chǎn)生偏移,其偏壓量是(+)電源和(一)電源電壓絕對(duì)值之差。所以需要作以改進(jìn)才能應(yīng)用)(+)、(一)的電位值之差,將會(huì)把電源的電位差加在柵極,也就是非反轉(zhuǎn)輸入端上。其結(jié)果在輸出端,也就是反轉(zhuǎn)輸入端將發(fā)生DC偏移,信號(hào)以外的電流將從反轉(zhuǎn)輸入端通過Ri流入地。這個(gè)電流作用于跨阻抗放大器,使視頻放大器的輸出發(fā)生大的偏移。為了避免電路復(fù)雜化,使用JFET也能夠獲得足夠的性能,所以使用通用器件:Tri使用2SK330GR,Tr2使用2SJ105GR。
選擇FET的IDSS檔次時(shí)的要點(diǎn)是有一定程度的電流流動(dòng),這對(duì)于構(gòu)成跨阻抗放大器是有利的。這里選擇GR檔FET,其IDSS在2.6~6. SmA之間。
按照上面GR檔器件,源極跟隨器的空載電流平均值為4mA。所以Tr。的集電極電流取2mA,R6取lkQ時(shí),基極電位為
VB一lktQ×2mA+O.6—2.6V
這里流過4mA,所以電阻R4值為R4=2.6V÷4mA≈620Q。R3同樣也取620Q。
如果輸入級(jí)源極跟隨TLC274CN器使用跨導(dǎo)g。大的器件,可以降低反轉(zhuǎn)輸入端的阻抗,提高電路的性能。但是,對(duì)于gm大的增強(qiáng)型FET,如果不注意輸入偏置的話將會(huì)發(fā)生轉(zhuǎn)換失真。而且如圖7.8所示,如果用電阻分配偏置電壓,那么由于電源的(如果使用增強(qiáng)型FET,由于gm大而使輸出阻抗降低。但是,可以在偏置上作改進(jìn)。在簡單的電阻構(gòu)成的偏置電路中,在輸出會(huì)產(chǎn)生偏移,其偏壓量是(+)電源和(一)電源電壓絕對(duì)值之差。所以需要作以改進(jìn)才能應(yīng)用)(+)、(一)的電位值之差,將會(huì)把電源的電位差加在柵極,也就是非反轉(zhuǎn)輸入端上。其結(jié)果在輸出端,也就是反轉(zhuǎn)輸入端將發(fā)生DC偏移,信號(hào)以外的電流將從反轉(zhuǎn)輸入端通過Ri流入地。這個(gè)電流作用于跨阻抗放大器,使視頻放大器的輸出發(fā)生大的偏移。為了避免電路復(fù)雜化,使用JFET也能夠獲得足夠的性能,所以使用通用器件:Tri使用2SK330GR,Tr2使用2SJ105GR。
選擇FET的IDSS檔次時(shí)的要點(diǎn)是有一定程度的電流流動(dòng),這對(duì)于構(gòu)成跨阻抗放大器是有利的。這里選擇GR檔FET,其IDSS在2.6~6. SmA之間。
按照上面GR檔器件,源極跟隨器的空載電流平均值為4mA。所以Tr。的集電極電流取2mA,R6取lkQ時(shí),基極電位為
VB一lktQ×2mA+O.6—2.6V
這里流過4mA,所以電阻R4值為R4=2.6V÷4mA≈620Q。R3同樣也取620Q。
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