圖7.7所示的電路中，為了簡(jiǎn)TLP621-1GB化電路結(jié)構(gòu)，輸入部分的緩沖放大器使用了JFET的推挽源極跟隨器。但是，JFET的源極跟隨器的輸出阻抗不怎么低。因此，它的工作距理想的電流反饋有一定的偏離（因?yàn)殡娏鞣答佇头糯笃鞣崔D(zhuǎn)輸入端的輸入阻抗可以認(rèn)為是零）。
    另外源極跟隨器本身的輸出電流也被FET的IDSS限制。而且由于N溝JFET和P溝JFET VGS存在的分散性，導(dǎo)致發(fā)生比較大的輸出偏移電壓（在本章的實(shí)驗(yàn)中，如照片7.7所示，也發(fā)生了140mV的輸出偏移電壓）。
    圖7.14是將JFET推挽源極跟隨器置換為2級(jí)直接耦合推挽射極跟隨器的電路。這個(gè)電路反轉(zhuǎn)輸入端的輸入阻抗非常低，所以能夠在接近理想的狀態(tài)下進(jìn)行電流反饋。另外由于晶體管的V BE沒(méi)有JFET的VGS那樣大的分散性，所以電路的輸出偏移電壓也比使用源極跟隨器時(shí)小得多。
    設(shè)計(jì)推挽射極跟隨器時(shí)，流過(guò)Tri和Tr2的發(fā)射極電流僅由發(fā)射極電阻(圖7.14中為7.5kQ)決定。Tri和Tr2的基極偏置電壓都為零，所以加在發(fā)射極電阻上的電壓是從咆源電壓各自減去0.6V的值(圖7.14中是14.4V=15V-0.6V)。這個(gè)電壓除以設(shè)定該電壓所希望的發(fā)射極電流，就可以求得發(fā)射極電阻值。

              
   等于流過(guò)Tri，Tr2的發(fā)射極電流。這是因?yàn)門r3與Tr4的發(fā)射極相互連接，所以Tri和Tr3以及Tr2和Tr4的VBE的絕對(duì)值相等（VBE1一VBE3，VBE2 -V BE4）的緣故（如果晶體管的特性相同的話，VBE的值相同時(shí)流過(guò)的發(fā)射極電流也相同）。圖7.14中，Tr3和Tr4的發(fā)射極電流與流過(guò)Tri和Tr2的發(fā)射極電流相同，都是2mA。所以Tri和Tr4以及Tr2和Tr3有必要采用互補(bǔ)對(duì)。這里使用的是通用晶體管2SA1048/ 2SC2458互補(bǔ)對(duì)。在輸入端與Tri、Tr2的基極間串聯(lián)100Q的電阻目的是為了防止射極跟隨器產(chǎn)生振蕩。跨阻抗級(jí)以下電路的設(shè)計(jì)方法與圖7.7所示的電路完全相同。