TBGA是BGA相對較新的AP15N03GH封裝類型，如圖2.81所示。
    TBGA的載體是銅／聚酰亞胺／銅雙金屬層帶，載體的上表面分布有信號傳輸用的銅導線，而另一面則作為地層使用。芯片與載體之間的連接可以采用倒裝片技術來實現(xiàn)，當芯片與載體的連接完成后，對芯片進行包封以防止受到機械損傷。載體上的過孔起到連通兩個表面、實現(xiàn)信號傳輸?shù)淖饔�，焊球通過采用類似金屬絲壓焊的微焊接工藝連接到過孔焊盤上形成焊球陣列。在載體的頂面用膠連接一個加固層，用于給封裝體提供剛性和保證封裝體的共面性。在倒裝芯片的背面一般用導熱膠連接散熱片，封裝體提供良好的熱特性。TBGA的焊球成分為90Pb/lOSn，無鉛化以后已改為SnAgCu，焊球直徑約為0.65mm，典型的焊球間距有.Omm、1.27mm和1.5mm幾種。目前常用的TBGA封裝的I/O數(shù)小于448，TBGA736等產(chǎn)品已上市，國外一些大公司正開發(fā)I/O數(shù)大于1000的TBGA。

    (2) TBGA封裝的優(yōu)點與不足
    TBGA的優(yōu)點：比其他大多數(shù)BGA封裝類型更輕更�。ㄓ绕涫荌/O數(shù)較高的封裝）；具有比PQFP和PBGA封裝更優(yōu)越的電性能；可遙于批量電子組裝；TBGA封裝加固層同PCB的CTE基本相互匹配，組裝后對焊點可靠影響不大。
    不足之處：易吸潮；封裝費用高，目前主要用于高性能、高I/O數(shù)的產(chǎn)品。
    (3) TBGA的外形尺寸及包裝
    同PBGA。