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納米電子器件

發(fā)布時間:2012/10/3 18:33:32 訪問次數(shù):576

    納米技術AS7C3256A-20TIN的研究為微電子技術開創(chuàng)了新的前途和應用領域。美國從1982年就開始研究量子耦合器件,德國、法國、日本等國家也都在近年加大對納米技術的投入。美國TI公司是最早開始研究納米器件的公司,包括量子耦合器件、模擬諧振隧道器件、量子點諧振隧道二極管、諧振隧道晶體管、納米傳感器、微型執(zhí)行器以及與這兩者有關的MEMS系統(tǒng)。美國IBM公司與日本日立制作中央研究所都已研制成功單電子晶體管、量子波器件。
    納米電子器件可采用GaAs村料制作,也可用Si-Ge器件。由于納米材料的特殊性能,使得納米電子器件具有更優(yōu)良的性能,如量子耦合的器件的研究使在一塊芯片上用O.lUm的工藝技術集成1兆個元器件成為可能,那時,在單片集電路上就能實現(xiàn)極其復雜的系統(tǒng)。因此,我們可以相信,納米技術的應用將使微電子元器件產生突破性的進展。
    表面安裝元器件的發(fā)展隨著芯片內容的增多,I/O端子數(shù)也增多,必將帶來芯片封裝形式的改進,在新材料、新技術不斷涌現(xiàn)的情況下,必將會出現(xiàn)性能更優(yōu)、組裝密度更高的新的封裝形式。
    納米技術AS7C3256A-20TIN的研究為微電子技術開創(chuàng)了新的前途和應用領域。美國從1982年就開始研究量子耦合器件,德國、法國、日本等國家也都在近年加大對納米技術的投入。美國TI公司是最早開始研究納米器件的公司,包括量子耦合器件、模擬諧振隧道器件、量子點諧振隧道二極管、諧振隧道晶體管、納米傳感器、微型執(zhí)行器以及與這兩者有關的MEMS系統(tǒng)。美國IBM公司與日本日立制作中央研究所都已研制成功單電子晶體管、量子波器件。
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    表面安裝元器件的發(fā)展隨著芯片內容的增多,I/O端子數(shù)也增多,必將帶來芯片封裝形式的改進,在新材料、新技術不斷涌現(xiàn)的情況下,必將會出現(xiàn)性能更優(yōu)、組裝密度更高的新的封裝形式。

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