齊納二極管的主要應(yīng)用就是提供一個與輸入變化無關(guān)的輸出基準(zhǔn)電壓。RK7002LT1基準(zhǔn)電壓用于電源、電壓表和許多其他儀器中。
    圖16.47中給出了齊納二極管的原理電路符號。齊納二極管(zener diode)是一個硅pn結(jié)器件，它不同于整流二極管，它是為工作于反向擊穿區(qū)而設(shè)計的。齊納二極管的擊穿電壓是通過在制造過程中仔細地控制摻雜水平來設(shè)置的。通過在16.3節(jié)中對二極管特性曲線的討論，回憶一下當(dāng)二極管達到反向擊穿時，盡管電流會激烈地變化，但是其電壓幾乎保持恒定。圖16. 48中再次給出了V-I特性曲線，整流二極管和齊納二極管的正常工作區(qū)如陰影區(qū)域所示。如果齊納二極管是正向偏置的，其工作和整流二極管是一樣的。
    齊納擊穿
    齊納二極管中的兩種反向擊穿分別是雪崩( avalanche)擊穿和齊納(zener)擊穿。當(dāng)反向電壓足夠高時，整流二極管中也會出現(xiàn)雪崩擊穿。在低反向偏壓下，在齊納二極管中就會出現(xiàn)齊納擊穿( zener breakdown)。為了減小擊穿電壓、產(chǎn)生一個非常窄的耗盡區(qū)，對齊納二極管進行了高摻雜。因此，在耗盡區(qū)存在一個強電場。在擊穿電壓(VZ)附近，強電場足以把電子從其價鍵中拉出來，產(chǎn)生電流。

              
    擊穿電壓小于大約5V的齊納二極管主要工作于齊納擊穿狀態(tài)。擊穿電壓大于大約5V的齊納二極管主要工作于雪崩擊穿狀態(tài)。不過，這兩種二極管都叫做齊納二極管�，F(xiàn)有的齊納二極管的擊穿電壓可以從1V到200 V以上。
    圖16.49中給出了齊納二極管特性曲線的反向部分。請注意，當(dāng)反向電壓(VR)增加時，直到拐點處，反向電流( IR)的增加都極少。在這一點，開始出現(xiàn)擊穿；當(dāng)齊納電流迅速增加時，齊納阻抗(Zz)開始下降。從拐點的底部開始，擊穿電壓(Vz)基本上保持恒定。

           
    為了使二極管保持在穩(wěn)定狀態(tài)，必須維持反向電流的最小值IZK。在曲線上，可以見到當(dāng)反向電流低于曲線拐點處的電流時，電壓出現(xiàn)劇烈的變化．穩(wěn)壓作用就沒有了。同樣，有一個最大電流IZM，超過該電流，二極管將被毀壞。因此，從本質(zhì)上講，齊納二極管的反向電流在J：。至J：M之間時，上面的電壓保持近似恒定。在齊納二極管的數(shù)據(jù)表上，通常給出在一個所謂齊納測試電流。的反向電流值上的標(biāo)稱測試電壓.