焊接與調(diào)試
發(fā)布時間:2013/11/17 20:18:00 訪問次數(shù):1026
圖3所示為筆者制作的樣板實(shí)物圖片,PCB上的共模濾波器是在原來的廢舊筆記本電腦適配器上拆的。CPC1030NTR采用外徑20mm的鐵氧體磁環(huán)繞制,線徑0.6mm,電感量約10mH。如果找不到這種封裝的話,采用其他封裝的尺寸可能要大一些。由于沒有阻焊層和絲印層,焊接的時候注意不要焊錯或者出現(xiàn)短路,焊接完成后仔細(xì)和PCB布局圖進(jìn)行核對,確保無誤后再通電調(diào)試。
為了防止漏感尖峰導(dǎo)致開關(guān)管的損壞,調(diào)試的過程中,最好從最低輸入電壓(90VAC)開始上電,同時用示波器觀察MOSFEl-的漏極和源極之間的波形。在進(jìn)行這一操作時,務(wù)必注愨兩點(diǎn):
1.示波器和開關(guān)電源的供電端必須有一組是與市電隔離的,否則示波器探頭的接地端可能和大地相連。而零線在變電站和大地相連,會有造成短路的危險,損壞整流橋、保險絲,甚至是示波器。
2.務(wù)必使用高壓探頭,一般的探頭耐壓達(dá)不到要求,可能造成探頭的損壞。
從示波器的波形中可以讀出實(shí)時的尖峰電壓值,并且波形會隨著輸入電壓和負(fù)載的增加而變化。對于600V耐壓的MOSFET,我們必須確保最高的尖峰電壓低于耐壓值,考慮到留出一定的余量,尖峰電壓的最大值控制在550v以下。如果調(diào)試過程中,輸入電壓增加到一定值時,尖峰電壓接近550v的話,此時應(yīng)適當(dāng)增大C3的容量,確保在最高線電壓(265V)和滿載情況下MOSFET的
漏源之間電壓低于550v。圖4所示為開關(guān)管尖峰電壓測試實(shí)拍,圖5所示為實(shí)測的尖峰電壓,在輸入電壓265V(最高線電壓)和輸出電流4A(輕微過載)時,尖峰電壓約500v,可見MOSFET是十分安全的。
圖3所示為筆者制作的樣板實(shí)物圖片,PCB上的共模濾波器是在原來的廢舊筆記本電腦適配器上拆的。CPC1030NTR采用外徑20mm的鐵氧體磁環(huán)繞制,線徑0.6mm,電感量約10mH。如果找不到這種封裝的話,采用其他封裝的尺寸可能要大一些。由于沒有阻焊層和絲印層,焊接的時候注意不要焊錯或者出現(xiàn)短路,焊接完成后仔細(xì)和PCB布局圖進(jìn)行核對,確保無誤后再通電調(diào)試。
為了防止漏感尖峰導(dǎo)致開關(guān)管的損壞,調(diào)試的過程中,最好從最低輸入電壓(90VAC)開始上電,同時用示波器觀察MOSFEl-的漏極和源極之間的波形。在進(jìn)行這一操作時,務(wù)必注愨兩點(diǎn):
1.示波器和開關(guān)電源的供電端必須有一組是與市電隔離的,否則示波器探頭的接地端可能和大地相連。而零線在變電站和大地相連,會有造成短路的危險,損壞整流橋、保險絲,甚至是示波器。
2.務(wù)必使用高壓探頭,一般的探頭耐壓達(dá)不到要求,可能造成探頭的損壞。
從示波器的波形中可以讀出實(shí)時的尖峰電壓值,并且波形會隨著輸入電壓和負(fù)載的增加而變化。對于600V耐壓的MOSFET,我們必須確保最高的尖峰電壓低于耐壓值,考慮到留出一定的余量,尖峰電壓的最大值控制在550v以下。如果調(diào)試過程中,輸入電壓增加到一定值時,尖峰電壓接近550v的話,此時應(yīng)適當(dāng)增大C3的容量,確保在最高線電壓(265V)和滿載情況下MOSFET的
漏源之間電壓低于550v。圖4所示為開關(guān)管尖峰電壓測試實(shí)拍,圖5所示為實(shí)測的尖峰電壓,在輸入電壓265V(最高線電壓)和輸出電流4A(輕微過載)時,尖峰電壓約500v,可見MOSFET是十分安全的。
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