圖3所示為筆者制作的樣板實(shí)物圖片，PCB上的共模濾波器是在原來的廢舊筆記本電腦適配器上拆的。CPC1030NTR采用外徑20mm的鐵氧體磁環(huán)繞制，線徑0.6mm，電感量約10mH。如果找不到這種封裝的話，采用其他封裝的尺寸可能要大一些。由于沒有阻焊層和絲印層，焊接的時(shí)候注意不要焊錯(cuò)或者出現(xiàn)短路，焊接完成后仔細(xì)和PCB布局圖進(jìn)行核對，確保無誤后再通電調(diào)試。
    為了防止漏感尖峰導(dǎo)致開關(guān)管的損壞，調(diào)試的過程中，最好從最低輸入電壓(90VAC)開始上電，同時(shí)用示波器觀察MOSFEl-的漏極和源極之間的波形。在進(jìn)行這一操作時(shí)，務(wù)必注愨兩點(diǎn)：

          
    1．示波器和開關(guān)電源的供電端必須有一組是與市電隔離的，否則示波器探頭的接地端可能和大地相連。而零線在變電站和大地相連，會(huì)有造成短路的危險(xiǎn)，損壞整流橋、保險(xiǎn)絲，甚至是示波器。
    2.務(wù)必使用高壓探頭，一般的探頭耐壓達(dá)不到要求，可能造成探頭的損壞。
    從示波器的波形中可以讀出實(shí)時(shí)的尖峰電壓值，并且波形會(huì)隨著輸入電壓和負(fù)載的增加而變化。對于600V耐壓的MOSFET，我們必須確保最高的尖峰電壓低于耐壓值，考慮到留出一定的余量，尖峰電壓的最大值控制在550v以下。如果調(diào)試過程中，輸入電壓增加到一定值時(shí)，尖峰電壓接近550v的話，此時(shí)應(yīng)適當(dāng)增大C3的容量，確保在最高線電壓(265V)和滿載情況下MOSFET的
漏源之間電壓低于550v。圖4所示為開關(guān)管尖峰電壓測試實(shí)拍，圖5所示為實(shí)測的尖峰電壓，在輸入電壓265V（最高線電壓）和輸出電流4A（輕微過載）時(shí)，尖峰電壓約500v，可見MOSFET是十分安全的。