一個(gè)場(chǎng)的特性取決于揚(yáng)源（天線）、LM311P場(chǎng)源周圍的媒質(zhì)以及場(chǎng)源與觀測(cè)點(diǎn)之間的距離。在接近場(chǎng)源的觀測(cè)點(diǎn)，場(chǎng)的性質(zhì)主要取決于場(chǎng)源的特點(diǎn)。在遠(yuǎn)離場(chǎng)源的觀測(cè)點(diǎn)，該場(chǎng)的性能主要取決于傳播場(chǎng)的媒質(zhì)。因此，一個(gè)輻射源周圍的空間區(qū)域可以分成如圖6-3所示的兩個(gè)區(qū)域。接近場(chǎng)源的區(qū)域是近場(chǎng)或者感應(yīng)場(chǎng)，在距離大于Al27c（約六分之一波長(zhǎng)）的是遠(yuǎn)場(chǎng)或者輻射場(chǎng)，A/2丁c附近的區(qū)域是近、遠(yuǎn)場(chǎng)的過渡區(qū)域。

   圖6-3輻射源周圍的空間可以分成兩個(gè)區(qū)域，近場(chǎng)和遠(yuǎn)場(chǎng)。從近場(chǎng)到遠(yuǎn)場(chǎng)的過渡在距離A/27c處

   電場(chǎng)E與磁場(chǎng)H的比值是波阻抗。在遠(yuǎn)場(chǎng)，這個(gè)比值等于傳輸媒質(zhì)的特性阻抗(例如，在空氣或自由空間中，El H=Zo =3770)。在近場(chǎng)，這個(gè)比值是由場(chǎng)源的特點(diǎn)以及從場(chǎng)源到實(shí)際觀測(cè)點(diǎn)的距離決定。如果場(chǎng)源具有大電流和低電壓(E／H <377Q)，則近場(chǎng)主要為磁場(chǎng)。相反，如果場(chǎng)源具有小電流和高電壓(E/H >37701)，則近場(chǎng)主要為電場(chǎng)。

   對(duì)于桿狀或直線天線來說，源的阻抗很高。天線附近的波阻抗主要是電場(chǎng)，電場(chǎng)強(qiáng)度很高。隨著距離的增加，電場(chǎng)強(qiáng)度會(huì)衰減，隨之產(chǎn)生一個(gè)互補(bǔ)的磁場(chǎng)。在近場(chǎng)，電場(chǎng)以(l／r)3的速率衰減，而磁場(chǎng)以速率(l／r)Z的速率衰減。因此，直線天線的波阻抗隨著距離的增加而減少，逐漸接近遠(yuǎn)場(chǎng)自由空間的阻抗，如圖6-4所示。

    圖6-4  波阻抗取決于距源的距離

   對(duì)于以磁場(chǎng)為主的情況，例如由環(huán)形天線產(chǎn)生的場(chǎng)，天線附近的波阻抗較低。隨著距離的不斷增大，磁場(chǎng)以(l／r)3的速率衰減，而電場(chǎng)以(l／r)2的速率衰減。因此，波阻抗陋距離不斷增大，在A/2兀的距離時(shí)接近自由空間的波阻抗。在遠(yuǎn)場(chǎng)，電場(chǎng)和磁場(chǎng)均以1／r的速率衰減。