當(dāng)邏輯切換時(shí)，IC去耦電容將釋放一些電荷。當(dāng)邏輯再次切換前，IC去耦電容必須再充電。比起單獨(dú)IC去耦電容的情況，再充電電流出現(xiàn)的頻率相當(dāng)?shù)�，而且它被位于印制電路�?/span>上的大容量去耦電容或電容器組供電。ICL3232EIBNZ-T單獨(dú)IC去耦電容必須工作在邏輯的切換速度——基本上是與上升和下降時(shí)間相關(guān)的。大容量去耦電容通常至少具有一半的時(shí)鐘周期去給單獨(dú)去耦電容充電；因此，它們工作在時(shí)鐘頻率的兩倍或少一些。

   大容量電容的值不是關(guān)鍵，但它應(yīng)該大于其所服務(wù)的IC所有去耦電容值之和。一個(gè)大容量去耦電容應(yīng)該位于電源進(jìn)入極的位置。其他的大容量電容應(yīng)合理地位于板的周孱。與邊上分布太少相比，在邊上分布較多大容量去耦電容是較好的。    

   大容量去耦電容的大小通常為5～lOOruF（lOtLF是一個(gè)典型值），且應(yīng)有一個(gè)小的等效串聯(lián)電感。過(guò)去，鉭電解質(zhì)電容器很普通。然而，隨著電容技術(shù)的提高，多層陶瓷電容器在應(yīng)用中變得更普遍。鋁電解質(zhì)電容器的電感比鉭電解質(zhì)電容器高一個(gè)數(shù)量級(jí)或更多，因而不應(yīng)使用。

   因?yàn)榇笕萘咳ヱ铍娙菥哂械碾娙葜挡煌趩为?dú)IC去耦電容，兩個(gè)不同的電容值將產(chǎn)生一個(gè)并聯(lián)諧振阻抗尖峰。然而，因?yàn)榇笕萘侩娙菥哂泻艽蟮碾娙葜�，阻抗尖峰出現(xiàn)在很低的頻率，且幅度較低，通常不會(huì)有問(wèn)題。在大容量電容內(nèi)少量等效串聯(lián)電阻實(shí)際上是有用的，因?yàn)?/span>它可提供一定程度的阻尼以減小可能出現(xiàn)的任何諧振峰值的幅度。