許多不同值的多個(gè)電容
發(fā)布時(shí)間:2014/4/17 21:09:10 訪問次數(shù):1302
基于由木同值電容的諧振所產(chǎn)生的多個(gè)阻抗下降,HCF4098M013TR因其在許多頻點(diǎn)能提供低阻抗所以是有利的這一理論,許多不同值的電容(通常間隔10倍)有時(shí)也被推薦。
然而,當(dāng)用許多不同值的去耦電容時(shí),額外的阻抗尖峰也會(huì)產(chǎn)生。圖11-16給出當(dāng)用四個(gè)不同值的去耦電容,且每個(gè)電容均與15nH的電感串聯(lián)時(shí)的阻抗圖。實(shí)線表示一個(gè)0.lp,F,一個(gè)0. OIVF,一個(gè)0.OOlluF和一個(gè)lOOpF電容并聯(lián)的情況,每個(gè)電容都與15nH的電感串聯(lián)。
正如所看到的存在四個(gè)諧振下降,每個(gè)電容值對(duì)應(yīng)一個(gè)。然而,在阻抗圖中并聯(lián)諧振也產(chǎn)生了三個(gè)諧振尖峰。如果一些時(shí)鐘諧波落在這些尖峰頻率上或其附近,電源對(duì)地噪聲實(shí)際將增加。
一些人把這個(gè)方法等效看作是玩“俄羅斯輪賭盤”,因?yàn)槎枷M麤]有一個(gè)時(shí)鐘諧波落在任何一個(gè)諧振尖峰上或其附近處。如圖11-16所示,也注意到諧振尖峰的幅度隨頻率增加,而諧振下降的阻抗保持不變。
圖11-16 由一個(gè)O.l、一個(gè)0.01、一個(gè)0.OOIVF和一個(gè)lOOpF電容組成的去耦網(wǎng)絡(luò)(實(shí)線),以及由四個(gè)0. lruF電容組成的去耦網(wǎng)絡(luò)(虛線)阻抗隨頻率的變化。這兩個(gè)網(wǎng)絡(luò)中,電容都與15nH的電感串聯(lián) 然而,如果用四個(gè)0. lruF的電容代替四個(gè)不同值的電容,阻抗如圖11-16中的虛線所示。兩個(gè)圖是相同數(shù)量的電容。低頻時(shí)較低的阻抗是由四個(gè)0. lptF的電容并聯(lián)所產(chǎn)生的較大總電容的結(jié)果。沒有諧振尖峰是所右電容的值相同的結(jié)果。當(dāng)頻率高于200MHz時(shí),對(duì)于四個(gè)0.1弘F的電容和四個(gè)不同值電容的結(jié)果是相同的。這源自這樣的事實(shí):在這些頻率上只是與電容串聯(lián)的電感起作用,而且兩種情況中四個(gè)電感是并聯(lián)的。然而,當(dāng)?shù)陀?00MHz時(shí),除了在多值電容的情況下對(duì)應(yīng)諧振下降的幾個(gè)頻率外,四個(gè)0. ltiF電容的情況的結(jié)果會(huì)更好些。
對(duì)于你的產(chǎn)品哪個(gè)阻抗圖更合適呢?
我傾向于有效的高頻去耦,因此用相同值的多個(gè)電容。這個(gè)方法工作良好,且比用不同值多個(gè)電容的任一方法有較少的缺陷。
基于由木同值電容的諧振所產(chǎn)生的多個(gè)阻抗下降,HCF4098M013TR因其在許多頻點(diǎn)能提供低阻抗所以是有利的這一理論,許多不同值的電容(通常間隔10倍)有時(shí)也被推薦。
然而,當(dāng)用許多不同值的去耦電容時(shí),額外的阻抗尖峰也會(huì)產(chǎn)生。圖11-16給出當(dāng)用四個(gè)不同值的去耦電容,且每個(gè)電容均與15nH的電感串聯(lián)時(shí)的阻抗圖。實(shí)線表示一個(gè)0.lp,F,一個(gè)0. OIVF,一個(gè)0.OOlluF和一個(gè)lOOpF電容并聯(lián)的情況,每個(gè)電容都與15nH的電感串聯(lián)。
正如所看到的存在四個(gè)諧振下降,每個(gè)電容值對(duì)應(yīng)一個(gè)。然而,在阻抗圖中并聯(lián)諧振也產(chǎn)生了三個(gè)諧振尖峰。如果一些時(shí)鐘諧波落在這些尖峰頻率上或其附近,電源對(duì)地噪聲實(shí)際將增加。
一些人把這個(gè)方法等效看作是玩“俄羅斯輪賭盤”,因?yàn)槎枷M麤]有一個(gè)時(shí)鐘諧波落在任何一個(gè)諧振尖峰上或其附近處。如圖11-16所示,也注意到諧振尖峰的幅度隨頻率增加,而諧振下降的阻抗保持不變。
圖11-16 由一個(gè)O.l、一個(gè)0.01、一個(gè)0.OOIVF和一個(gè)lOOpF電容組成的去耦網(wǎng)絡(luò)(實(shí)線),以及由四個(gè)0. lruF電容組成的去耦網(wǎng)絡(luò)(虛線)阻抗隨頻率的變化。這兩個(gè)網(wǎng)絡(luò)中,電容都與15nH的電感串聯(lián) 然而,如果用四個(gè)0. lruF的電容代替四個(gè)不同值的電容,阻抗如圖11-16中的虛線所示。兩個(gè)圖是相同數(shù)量的電容。低頻時(shí)較低的阻抗是由四個(gè)0. lptF的電容并聯(lián)所產(chǎn)生的較大總電容的結(jié)果。沒有諧振尖峰是所右電容的值相同的結(jié)果。當(dāng)頻率高于200MHz時(shí),對(duì)于四個(gè)0.1弘F的電容和四個(gè)不同值電容的結(jié)果是相同的。這源自這樣的事實(shí):在這些頻率上只是與電容串聯(lián)的電感起作用,而且兩種情況中四個(gè)電感是并聯(lián)的。然而,當(dāng)?shù)陀?00MHz時(shí),除了在多值電容的情況下對(duì)應(yīng)諧振下降的幾個(gè)頻率外,四個(gè)0. ltiF電容的情況的結(jié)果會(huì)更好些。
對(duì)于你的產(chǎn)品哪個(gè)阻抗圖更合適呢?
我傾向于有效的高頻去耦,因此用相同值的多個(gè)電容。這個(gè)方法工作良好,且比用不同值多個(gè)電容的任一方法有較少的缺陷。
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