在下面的例子中，HEF4013BT將使用阻抗分析儀來測(cè)量一個(gè)金屬薄膜電容器的阻抗特性，在這個(gè)電容器的表面印有“102J 630V”字樣，102指的是電容的容量，單位是PF，第三位數(shù)字2表示10后加0的個(gè)數(shù)，比如上述102J可以通過下述的換算公式：10×100=1000PF;即O.OOILtF或者是InF; 102后面的字母J表示誤差為+-5%或者-5%，630V指的是電容兩端最大能承受的電壓值，薄膜電容廣泛用于高頻、低頻電路中。

   首先，利用NI ELVIS的DMM來測(cè)量電容的容量數(shù)值。將上述電容器的兩端插入圖2-45中DUT+、DUT-所對(duì)應(yīng)的面包板上的插孔，因?yàn)榻饘俦∧る娙莸膬蓚�(gè)引腳沒有正負(fù)之分，所以用戶可以隨意在DUT+、DUT-引腳上連接。完成連線后，就可為NI ELVIS實(shí)驗(yàn)套件上電了，以保證DMM能正確地識(shí)別外設(shè)NI ELVIS。然后啟動(dòng)DMM，如圖2-47所示。

   為了完成對(duì)電容容量數(shù)值的測(cè)量，在圖2-47中MeasurementSettings參數(shù)設(shè)置區(qū)域單擊按鈕，在虛擬儀器DMM的軟件控制面板的Protoboard Connections文本描j苤框內(nèi)，NIELVIS乜給出了測(cè)量容量時(shí)的硬件連接方法，Protoboard Connections文本描述框內(nèi)的內(nèi)容與圖2-45中相對(duì)應(yīng)、右側(cè)的黑色箭頭表示為完成某個(gè)測(cè)量功能而在原型實(shí)驗(yàn)板上需要連線的引腳，本例中為DUT+、DUT-。圖2-47中的其它選項(xiàng)保持默認(rèn)設(shè)置，單擊Run按鈕，測(cè)量結(jié)果如圖2-47所示為1.002nF。

   完成了電容容量數(shù)值的測(cè)量之后，就可以開始電容的阻抗特性分析了，將金屬薄膜電容繼續(xù)插在DUT+、DUT-處，同時(shí)單擊圖2-47中的Stop按鈕或者關(guān)閉DMM控制面板，然后啟動(dòng)阻抗分析儀Imped。因?yàn)樘摂M儀器Imped和DMM都使用了NI ELVIS上的DUT+、DUT-引腳，所以只能暫�；蛘哧P(guān)閉其中一個(gè)虛擬儀器，這樣才能保證另外一個(gè)虛擬儀器能夠正常運(yùn)行，如果虛擬儀器同時(shí)使用一個(gè)硬件模塊的話將造成資源上的沖突。造成資源沖突后，NIELVIS將在虛擬儀器的控制面板中彈出如圖2-48所示的對(duì)話框來提醒用戶。