在下面的例子中，HEF4013BT將使用阻抗分析儀來測量一個金屬薄膜電容器的阻抗特性，在這個電容器的表面印有“102J 630V”字樣，102指的是電容的容量，單位是PF，第三位數(shù)字2表示10后加0的個數(shù)，比如上述102J可以通過下述的換算公式：10×100=1000PF;即O.OOILtF或者是InF; 102后面的字母J表示誤差為+-5%或者-5%，630V指的是電容兩端最大能承受的電壓值，薄膜電容廣泛用于高頻、低頻電路中。

   首先，利用NI ELVIS的DMM來測量電容的容量數(shù)值。將上述電容器的兩端插入圖2-45中DUT+、DUT-所對應的面包板上的插孔，因為金屬薄膜電容的兩個引腳沒有正負之分，所以用戶可以隨意在DUT+、DUT-引腳上連接。完成連線后，就可為NI ELVIS實驗套件上電了，以保證DMM能正確地識別外設NI ELVIS。然后啟動DMM，如圖2-47所示。

   為了完成對電容容量數(shù)值的測量，在圖2-47中MeasurementSettings參數(shù)設置區(qū)域單擊按鈕，在虛擬儀器DMM的軟件控制面板的Protoboard Connections文本描j苤框內(nèi)，NIELVIS乜給出了測量容量時的硬件連接方法，Protoboard Connections文本描述框內(nèi)的內(nèi)容與圖2-45中相對應、右側的黑色箭頭表示為完成某個測量功能而在原型實驗板上需要連線的引腳，本例中為DUT+、DUT-。圖2-47中的其它選項保持默認設置，單擊Run按鈕，測量結果如圖2-47所示為1.002nF。

   完成了電容容量數(shù)值的測量之后，就可以開始電容的阻抗特性分析了，將金屬薄膜電容繼續(xù)插在DUT+、DUT-處，同時單擊圖2-47中的Stop按鈕或者關閉DMM控制面板，然后啟動阻抗分析儀Imped。因為虛擬儀器Imped和DMM都使用了NI ELVIS上的DUT+、DUT-引腳，所以只能暫�；蛘哧P閉其中一個虛擬儀器，這樣才能保證另外一個虛擬儀器能夠正常運行，如果虛擬儀器同時使用一個硬件模塊的話將造成資源上的沖突。造成資源沖突后，NIELVIS將在虛擬儀器的控制面板中彈出如圖2-48所示的對話框來提醒用戶。