采用抽頭降壓拓撲結(jié)構(gòu)的非隔離
發(fā)布時間:2015/1/8 21:15:50 訪問次數(shù):940
一個使用LinkSwitch-II器件LNK605DG設(shè)計的通用輸入12V、350mA恒壓/恒流LED驅(qū)動電路‘踟如圖1.2.12所示,采用抽頭電感非隔離降壓轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)。
圖1.2.12采用抽頭降壓拓撲結(jié)構(gòu)的非隔離350mA、12V LED驅(qū)動電 抽頭ADS8345NB降壓拓撲結(jié)構(gòu)非常適合設(shè)計輸入電壓與輸出電壓比值較高的轉(zhuǎn)換器,可以對輸出提供電流倍增,從而能夠在要求輸出電流是器件電流限值兩倍多的應(yīng)用中使用這種新的降壓拓撲結(jié)構(gòu)。
采用這種拓撲結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)換器與隔離反激式轉(zhuǎn)換器相比,其PCB尺寸更小、電感磁芯尺寸更小、效率更高(最差負載條件下為80%)。由于產(chǎn)生的共模噪聲小,因此可簡他EMI濾波設(shè)計。
這種拓撲結(jié)構(gòu)通常需要在初級側(cè)使用一個鉗位電路。不過,由于Ul中集成了700VMOSFET,因此可以省去鉗位電路。集成電路Ul內(nèi)含700V MOSFET功率開關(guān)器件、振蕩器、高度集成的CC/CV控制引擎以及啟動和保護功能。MOSFET功率開關(guān)器件能夠為包括輸入浪涌在內(nèi)的通用輸入交流應(yīng)用提供充足的電壓裕量。 ”
在圖1.2.12所示電路中,二極管D3、D4、D5和D6對交流輸入進行整流,然后大容量電容C4和C5則對經(jīng)整流的交流電進行濾波。電感Ll與C4和C5 -起組成一個兀形濾波器,對差模傳導(dǎo)EMI噪聲進行衰減。這個設(shè)計能夠輕松滿足EN55015 B級傳導(dǎo)EMI要求,而且 裕量為lOdB。可熔防火電阻RF1提供故障保護。
一個使用LinkSwitch-II器件LNK605DG設(shè)計的通用輸入12V、350mA恒壓/恒流LED驅(qū)動電路‘踟如圖1.2.12所示,采用抽頭電感非隔離降壓轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)。
圖1.2.12采用抽頭降壓拓撲結(jié)構(gòu)的非隔離350mA、12V LED驅(qū)動電 抽頭ADS8345NB降壓拓撲結(jié)構(gòu)非常適合設(shè)計輸入電壓與輸出電壓比值較高的轉(zhuǎn)換器,可以對輸出提供電流倍增,從而能夠在要求輸出電流是器件電流限值兩倍多的應(yīng)用中使用這種新的降壓拓撲結(jié)構(gòu)。
采用這種拓撲結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)換器與隔離反激式轉(zhuǎn)換器相比,其PCB尺寸更小、電感磁芯尺寸更小、效率更高(最差負載條件下為80%)。由于產(chǎn)生的共模噪聲小,因此可簡他EMI濾波設(shè)計。
這種拓撲結(jié)構(gòu)通常需要在初級側(cè)使用一個鉗位電路。不過,由于Ul中集成了700VMOSFET,因此可以省去鉗位電路。集成電路Ul內(nèi)含700V MOSFET功率開關(guān)器件、振蕩器、高度集成的CC/CV控制引擎以及啟動和保護功能。MOSFET功率開關(guān)器件能夠為包括輸入浪涌在內(nèi)的通用輸入交流應(yīng)用提供充足的電壓裕量。 ”
在圖1.2.12所示電路中,二極管D3、D4、D5和D6對交流輸入進行整流,然后大容量電容C4和C5則對經(jīng)整流的交流電進行濾波。電感Ll與C4和C5 -起組成一個兀形濾波器,對差模傳導(dǎo)EMI噪聲進行衰減。這個設(shè)計能夠輕松滿足EN55015 B級傳導(dǎo)EMI要求,而且 裕量為lOdB?扇鄯阑痣娮鑂F1提供故障保護。