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新興控制器FPGA2012/6/3 16:04:25
2012/6/3 16:04:25
FPGA(Field-ProgrammableGateArray)，即現(xiàn)場(chǎng)可K6F1008V2C-YF55編程門(mén)陣列，是在PAL、GAL、CPLD等可編程器件的基礎(chǔ)上進(jìn)一步發(fā)展的產(chǎn)物。它是作為專(zhuān)用...[全文]
如果希望變更頻率偏移2012/6/2 19:44:58
2012/6/2 19:44:58
如果使用的話筒輸出電平太小，就得不HS0038B8到大的頻率偏移。這時(shí)接收到的音量就變小了。這種情況下，增大與變?nèi)荻䴓O管串聯(lián)的電容器Cl的值，就能夠得到大的頻率偏移。相反，如果接收到的音量過(guò)大，那么...[全文]
RF放大器的構(gòu)成2012/6/2 19:33:27
2012/6/2 19:33:27
RF放大器中使用的晶體管Tr2與FM調(diào)M4A3-128/64-10VC-12VI制電路中的相同，是FR=550MHz的2SC2668。放大器是發(fā)射極接地形式，把發(fā)射極直接接地以提高放大倍數(shù)。如圖1...[全文]
使用MOSFET的LC振蕩電路2012/6/2 19:03:33
2012/6/2 19:03:33
圖14.29是使用MOSFET的LC振蕩電路。振蕩頻率與圖14.14的電S29GL128N90TFIR1路相同是4MHz。使用的是耗盡型MOSFET，如果設(shè)定柵極偏置電壓為OV，就可以把柵極偏置電路...[全文]
應(yīng)用共振電路和負(fù)阻產(chǎn)生振蕩2012/6/1 19:26:12
2012/6/1 19:26:12
LC振蕩電路是一種用放大器CAT24WC02J-TE13的負(fù)阻抵消LC共振電路的損耗使振蕩持續(xù)下去的振蕩電路。按照L和C組合方式的不同可分為哈特萊振蕩電路和考畢茲振蕩電路兩種。圖14.13是哈特萊...[全文]
移相振蕩的結(jié)構(gòu)2012/6/1 19:18:16
2012/6/1 19:18:16
使用RC的正弦波振蕩電路ICE3BR0665J也叫做文氏電橋或者移相振蕩電路。它是一種基于正反饋的振蕩電路。這里簡(jiǎn)單地介紹移相振蕩電路的工作原理。圖14.10是移相振蕩電路的框圖。放大器采用輸入輸...[全文]
晶體管差動(dòng)型模擬開(kāi)關(guān)2012/6/1 19:09:10
2012/6/1 19:09:10
在VTR或電視機(jī)內(nèi)部切換視A6252M頻信號(hào)的部分采用晶體管的模擬開(kāi)關(guān)。這不是在輸入輸出間串聯(lián)插入開(kāi)關(guān)器件的形式，而是利用差動(dòng)放大電路的性質(zhì)。圖13.23是差動(dòng)型模擬開(kāi)關(guān)的原理圖。這種電路當(dāng)控制信...[全文]
無(wú)須調(diào)整的降壓型電源2012/5/31 19:43:17
2012/5/31 19:43:17
圖12.12是又一例不需CY74FCT162373CTPAC要調(diào)整的降壓型開(kāi)關(guān)電源。這個(gè)電路是把用精密分路調(diào)整器ICTL431MLP(TI)制作的2.5V基準(zhǔn)電壓與電阻分壓的輸出電壓用開(kāi)路集電極輸...[全文]
B點(diǎn)和C點(diǎn)的波形2012/5/31 19:25:22
2012/5/31 19:25:22
照片12.5是B點(diǎn)和C點(diǎn)的波形。與升壓RDC19222-202型相同，Tr2是以模擬方式工作，所以C點(diǎn)的‘波形占空比小于50%。由此可以看出作力開(kāi)關(guān)的控制方式，不僅有接通／斷開(kāi)開(kāi)關(guān)脈沖，而且還有改變...[全文]
設(shè)定輸出電壓2012/5/30 22:54:06
2012/5/30 22:54:06
R6、CR1、R7串聯(lián)回路是對(duì)輸出電APA075-FTQ100壓進(jìn)行分壓，并通過(guò)控制Tr2的開(kāi)關(guān)來(lái)固定輸出電壓的電阻。決定這個(gè)電路輸出電壓的基準(zhǔn)電源是Trz的基極一發(fā)射極間電壓VBE。因此，通過(guò)實(shí)...[全文]
降壓型電源的結(jié)構(gòu)2012/5/30 19:41:11
2012/5/30 19:41:11
上一章介紹有74LCX04MTCX關(guān)使用MOSFET的升壓型開(kāi)關(guān)電源的實(shí)驗(yàn)。本章就使用晶體管的開(kāi)關(guān)電路的應(yīng)用，介紹降壓型開(kāi)關(guān)電源的制作。降壓型開(kāi)關(guān)電源經(jīng)常應(yīng)用于由模擬電路電源(例如+15V)制作數(shù)字...[全文]
確定電感2012/5/29 19:49:04
2012/5/29 19:49:04
積蓄能量的電感L，的最佳值EA1530A因開(kāi)關(guān)頻率以及輸出電流大小而不同。一般來(lái)說(shuō)，小型升壓型開(kāi)關(guān)電源的電感量約為幾十至幾百微亨，通常開(kāi)關(guān)頻率愈低，輸出電流愈小，使用的電感量應(yīng)該愈大。這里設(shè)計(jì)的電源...[全文]
DC-DC變換器的基礎(chǔ)是施密特觸發(fā)振蕩電路2012/5/29 19:13:11
2012/5/29 19:13:11
為了能夠使圖10.13中的SW開(kāi)關(guān)工THC63DV161作必須有振蕩電路。這里把直流變換為交流的開(kāi)關(guān)SW使用的是施密特觸發(fā)振蕩電路。如果施密特觸發(fā)變換器采用CMOS門(mén)，會(huì)降低振蕩電路的輸出阻抗，能夠...[全文]
控制H電橋的邏輯電路2012/5/28 20:07:27
2012/5/28 20:07:27
表10.1是控制輸入信號(hào)A，B與H電橋MOSFET的ON/OFF關(guān)系。這個(gè)表設(shè)MOSFETOFF的邏輯信號(hào)為L(zhǎng)，ON的邏輯信號(hào)為H（因?yàn)镸OSFET的柵極為OV時(shí)截止，柵極為Vcc+3.5V時(shí)導(dǎo)通...[全文]
用MOSFET構(gòu)成的H電橋2012/5/28 19:48:17
2012/5/28 19:48:17
圖10.2是用MOSFET取代H電橋各PIC16C57C-04P開(kāi)關(guān)的電路。H電橋的Sl和S3用P溝MOSFET源極接地型開(kāi)關(guān)電路替換，S2和S4用N溝MOSFET源極接地型開(kāi)關(guān)電路替換。功率MO...[全文]
采用MOSFET的源極跟隨器開(kāi)關(guān)電路2012/5/28 19:39:36
2012/5/28 19:39:36
圖9.11是采用N溝MOSFET的源極MTM30N45跟隨器型開(kāi)關(guān)電路。這個(gè)電路的構(gòu)成中只是換了圖9.9電路中的FET(漏極負(fù)載電阻RD的值不同)。照片9.9是給圖9.11的電路輸入1MHz、OV...[全文]
開(kāi)關(guān)波形——正常導(dǎo)通與正常截止2012/5/27 20:08:57
2012/5/27 20:08:57
下面我們觀察輸IP101入方波時(shí)的開(kāi)關(guān)波形。照片9.3是給圖9.1的電路輸入lOOkHz、-5V／OV方波時(shí)的輸入輸出波形（注意輸入的電平信號(hào)不應(yīng)該使二極管導(dǎo)通）�？梢钥闯鯲I=OV時(shí)VO=OV，...[全文]
跨阻抗的測(cè)定2012/5/26 14:27:33
2012/5/26 14:27:33
現(xiàn)在測(cè)定由發(fā)射極接地電路與R3、R4構(gòu)成的阻TMS320DM365ZCE30抗放大器的跨阻抗，它是構(gòu)成電流反饋型放大器的重要部分�？缱杩故请娏饕浑妷鹤儞Q器（FV變換器）的性能參數(shù)，表示由電流向電壓...[全文]
放大倍數(shù)與頻率特性2012/5/24 20:07:22
2012/5/24 20:07:22
圖6.3是低頻范圍(lHz～lkHz)電壓增B5014KRB益的頻率特性。設(shè)計(jì)的電路的電壓增益A。在lkHz處的值約為2.7倍(約8.5dB)，比設(shè)定值A(chǔ)，=3dB約低10%。這是由于VGS通常是...[全文]
漏極的相位相反2012/5/19 20:29:51
2012/5/19 20:29:51
RD連接在漏極與電源之間，所以這MSP430F2274IDAR里產(chǎn)生的電壓降是以電源為基準(zhǔn)的。因此，當(dāng)輸入電壓Vi增加，漏極電流也增加時(shí)，RD上的電壓降相對(duì)于電源也變大，漏極相對(duì)于地的電位Vd(R...[全文]
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