圖9.11是采用N溝MOSFET的源極MTM30N45跟隨器型開關(guān)電路。這個(gè)電路的構(gòu)成中只是換了圖9.9電路中的FET(漏極負(fù)載電阻RD的值不同)。
    照片9.9是給圖9.11的電路輸入1MHz、OV/+5V方波時(shí)的輸入輸出波形。這個(gè)電路也與采用JFET的電路相同，輸入輸出的相位同相，其波形表現(xiàn)出高速動(dòng)作的源極跟隨器電路的性質(zhì)。

    關(guān)于輸入輸出信號(hào)電平，當(dāng)口i=OV時(shí)VO=OV，而當(dāng)v1=+5V時(shí)VO=+3.4V(比+5V低1.6V)。這也是由于MOSFET所具有的增強(qiáng)特性。
    這個(gè)電路的基礎(chǔ)也是源極跟隨器，所以工作時(shí)源極電位保持一定的VGS值并追隨柵極電位。由于N溝MOSFET具有增強(qiáng)特性，所以如果流過漏極電流，那么源極電位比柵極電位低。所以如照片9.9所示，當(dāng)Vi=十5V時(shí)源極電位比柵極電位低1.6V(指示的電壓)。
    從圖9.6的傳輸特性可以看出，對(duì)于2SK612來說，當(dāng)JD一3.4mA(一3.4V／lkfl)時(shí)正好VGS =1. 6V(照片9.7的N溝JFET的開關(guān)波形也是1.6V，這只是巧合)。當(dāng)Vi一OV時(shí)Vcs =OV，ID為零，就是說器件處于截止?fàn)顟B(tài)，所以vo一OV。所以在源極跟隨器型開關(guān)電路中，如果使用的是增強(qiáng)型MOSFET，只要把VBE置換為VGS，就能夠方便地與雙極晶體管置換。