圖10.2是用MOSFET取代H電橋各PIC16C57C-04P開(kāi)關(guān)的電路。H電橋的Sl和S3用P溝MOSFET源極接地型開(kāi)關(guān)電路替換，S2和S4用N溝MOSFET源極接地型開(kāi)關(guān)電路替換。
    功率MOSFET幾乎都是增強(qiáng)型器件。N溝增強(qiáng)型器件當(dāng)柵極電位比源極電位高時(shí)器件導(dǎo)通。P溝增強(qiáng)型器件當(dāng)柵極電位比源極電位低時(shí)導(dǎo)通。因此當(dāng)采用源極接地型開(kāi)關(guān)電路時(shí)，如圖10.2所示GND -側(cè)使用N溝MOSFET，電源一側(cè)使用P溝器件。但是，P溝功率MOSFET的品種少（價(jià)格也高），電學(xué)性能——導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)速度等也不如N溝器件。所以在本章中，如圖10.3所示，Sl～S4的所有開(kāi)關(guān)完全采用N溝MOSFET。但是S1和S3采用源極跟隨器型開(kāi)關(guān)電路，S2和＆采用源極接地型開(kāi)關(guān)電路（因?yàn)镹溝器件電流流動(dòng)的方向是漏極一源極，所有S1和S3必須采用源極跟隨器型）。