- 富上電機的R系列IPM2016/11/25 21:37:06 2016/11/25 21:37:06
- 功率半導(dǎo)體器件通常要求功率損失盡量小且在實際應(yīng)用中不被擊穿,器件的I作溫度對此影響很大c當(dāng)工作溫度迅速上升時,傳統(tǒng)的IPM可被擊穿,這種擊穿發(fā)生是因為提供溫度保護的溫控器安裝在IGBT芯片的絕緣...[全文]
- PM的特點2016/11/25 21:19:00 2016/11/25 21:19:00
- 所謂IPM就是把功率器件與傳感器、檢測和PA0057A制電路、保護電路及故障自診斷電路等集成為一體并具有功率輸出能力的新型器件,由于這類器件可代替人工完成復(fù)雜的功率控制,所以它被賦予智能的特征。...[全文]
- 半橋、高端開關(guān)和低端開關(guān)型IGBT模塊2016/11/25 21:16:33 2016/11/25 21:16:33
- 半橋、高端開關(guān)和低端開關(guān)型IGBT模塊GA系列半橋、高端開P6SMB200A關(guān)和低端開關(guān)型IGBT模塊電氣參數(shù)為:餞Es∫c=50~400A,σI№=z~sOOⅤ(RMs),其性能...[全文]
- IR系列IGBT模塊2016/11/25 21:12:17 2016/11/25 21:12:17
- 國際整流器公司(IR)推出全新MTP隔離式開關(guān)模塊系列,專為大電流工業(yè)電源而設(shè)計,P3S56D40ETP新模塊系列的額定電壓為ω0Ⅴ和⒓00Ⅴ,把高速⒑BT和優(yōu)化的二極管結(jié)合在同一封裝內(nèi),可取代...[全文]
- 安全工作區(qū)特性2016/11/25 21:10:47 2016/11/25 21:10:47
- 安全工作區(qū)特性。少子器P3004ND5G件在大電流、高電壓開關(guān)狀態(tài)下工作時,由于電流的不均勻分布,當(dāng)超過安全工作極限時,經(jīng)常造成器件損壞。電流分布的方式與d氵/d莎有關(guān),因此安全工作區(qū)經(jīng)常被分為...[全文]
- 短路電流特性2016/11/25 21:05:02 2016/11/25 21:05:02
- (1)短路電流特性。IGBT的短路電流可達額定電流10倍以上,短路電流值由IGBT的柵極電壓和跨導(dǎo)來決定。P2804BVG正確地控制⒑BT的短路電流是⒑-BT可靠工作的必要保障。(...[全文]
- TC782A應(yīng)用電路2016/11/24 20:51:24 2016/11/24 20:51:24
- TC782A電路的兩種應(yīng)用MAX3222CDW實例如圖3-⒛所示,圖3-⒛(a)是小功率雙向晶閘管觸發(fā)電路;圖3-29(b)是反并聯(lián)或橋式晶閘管觸發(fā)電路。TC787/TC788集成...[全文]
- 電流上升率、電壓上升率的抑制2016/11/24 20:32:26 2016/11/24 20:32:26
- 1)電流上升率山/d莎的抑制晶間管初開通時電流集中在靠近門極的陰極表面較小的區(qū)域,局部電流密度很大,然MAX3221IDB后以0.1mll/us的擴展速度將電流擴展到整個陰極面。若...[全文]
- 測量晶閘管的直流轉(zhuǎn)折電壓2016/11/23 20:47:48 2016/11/23 20:47:48
- 測量晶閘管的直流轉(zhuǎn)折電壓V:。,反向擊穿電壓〃:R等參數(shù)測晶閘管正向特性時,S6500P陽極A接電源正極,陰極Κ接電源負極,僅有很小的漏電流,由于門極未加觸發(fā)信號,fGT=0,故晶閘管關(guān)斷,對應(yīng)...[全文]
- 晶閘管的工作條件2016/11/22 20:29:41 2016/11/22 20:29:41
- (1)當(dāng)晶閘管承受反向陽極電壓時,不管門H5TC8G63AMR-PBA極承受何種電壓,晶閘管都處于關(guān)斷狀態(tài)。(2)當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓時,僅在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導(dǎo)...[全文]
- 測量光電耦合器的電流傳輸比(CTR)及飽和壓降Vces2016/11/22 19:54:31 2016/11/22 19:54:31
- 采用雙表法不僅可以檢查光電耦合器進行“電光一電”轉(zhuǎn)換工作是否正常,還能進H5PS1G83KFR-Y5C一步測量出電流傳輸比CTR及接收管飽和壓降%Es等項參數(shù)。電流傳輸比(CTR...[全文]
- 七段字符顯示器2016/11/21 21:38:53 2016/11/21 21:38:53
- 七段字符顯示器。利用發(fā)KB2785YW光二極管的光電效應(yīng),可以制成簡單的顯示器件,最典型的就是七段字符顯示器,也叫作七段碼顯示器,如圖2-14(a)所示。通常使用的七段字符顯示器,是由8個條狀發(fā)...[全文]
- 鋁電解電容(型號為CD)2016/11/21 21:11:38 2016/11/21 21:11:38
- 鋁電解電容(型號為CD)。鋁電解電容一般是用鋁箔和浸有電解液的纖維帶交疊卷成圓柱形后,封裝在鋁殼內(nèi)。AFD51-18-30PX-6116大容量的鋁電解電容的外殼頂端通常有“十”字形壓痕,其作用是...[全文]
- 電解電容2016/11/21 21:09:38 2016/11/21 21:09:38
- 電解電容。電解電容以金屬氧化膜作為介質(zhì),以金屬和電解質(zhì)作為電容的兩極,金屬為陽極,電解質(zhì)為陰極。AFD51-18-30PW-6116使用電解電容必須注意極性,由于介質(zhì)單向極化的性質(zhì),它不能用于交...[全文]
- 逆變電路2016/11/20 15:08:16 2016/11/20 15:08:16
- 單相橋式并聯(lián)逆變電路。并聯(lián)逆變MAX1111CEE器的基本電路如圖1-5所示,在ⅤD7~ⅤD10組成了一個橋式逆變電路,Ld為直流濾波電感,C為補償電容,由L、r、c組成一個并聯(lián)諧振電路。...[全文]
- 半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)是個復(fù)雜的系統(tǒng)2016/11/18 21:55:13 2016/11/18 21:55:13
- 半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)是個復(fù)雜的系統(tǒng),從LED外延芯片到最終的應(yīng)用燈具,需要經(jīng)過HMC199AMS8ETR材料外延一芯片制作一管芯封裝一光源制作一燈具設(shè)計與裝配的一系列流程,還涉及配套材料、配套電源、工...[全文]
- 照明的國際標(biāo)準(zhǔn)主要由CⅡ頒布2016/11/18 21:43:42 2016/11/18 21:43:42
- 建筑照明設(shè)計國家標(biāo)準(zhǔn)或技術(shù)規(guī)范由建設(shè)部標(biāo)準(zhǔn)定額司歸口管理,由國家HMC189AMS8ETR質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局和建設(shè)部聯(lián)合發(fā)布;建筑照明設(shè)計方面的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)由建設(shè)部標(biāo)準(zhǔn)定額研究所歸口管理、中國工程建設(shè)標(biāo)...[全文]
- 一批發(fā)明家對照明光源進行了不懈的探索2016/11/18 21:20:31 2016/11/18 21:20:31
- 油脂類光源的效率低下、污染環(huán)境,最重要HMC144LC4的是使用極其不方便。為解決上述問題,一批發(fā)明家對照明光源進行了不懈的探索。愛迪生(ThomasAlvaEdson)是白熾燈最成功的發(fā)明家,...[全文]
- 可見光通信技術(shù)2016/11/17 22:23:06 2016/11/17 22:23:06
- 與傳統(tǒng)照明光源相比,半導(dǎo)體LED具有高速調(diào)制的優(yōu)勢,可以同時實現(xiàn)照明與通信雙功能[lq。PBLS2001S在人眼毫無察覺的情況下,將LED作為信息發(fā)射源,實現(xiàn)空間自由通信,具有很強的應(yīng)用前景。半...[全文]
- 系統(tǒng)集成與應(yīng)用2016/11/17 22:19:50 2016/11/17 22:19:50
- (1)二次光學(xué)設(shè)計、燈具散PAM99700熱技術(shù)、高效驅(qū)動電路的研究開發(fā)。(2)LED燈具模擬技術(shù)。(3)微光學(xué)技術(shù)及應(yīng)用研究開發(fā)。標(biāo)準(zhǔn)制定、關(guān)鍵檢測設(shè)...[全文]
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