曝光時,在掩膜板的輔助下,使用特定波長的光對覆蓋在晶片上的光刻膠進行選擇性照射。 MC13201FC光刻膠中的感光劑會發(fā)生光化學反應,從而使正膠與負膠被照射區(qū)域化學成分發(fā)生變化,這些化學成分發(fā)生變化區(qū)域的光刻膠,在下一步顯影中正膠被保留,負膠被顯影液溶解掉。曝光中涉及的主要參數(shù)有曝光能量、對版精度、曝光方式等,這些參數(shù)都會很大程度影響光刻的效果。

   曝光方式上有接觸式曝光和非接觸式曝光。其中接觸式曝光做出的圖形更加接近掩膜板,但是曝光時晶片對掩膜板的刮傷也會加重,使得圖形不完整,需要更換更多的掩膜板。非接觸曝光不會對掩膜板產(chǎn)生刮傷,但是由于晶片與掩膜板之間存在一定的間隙,會對曝

光效果產(chǎn)生一定的影響。