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生產(chǎn)階段的調(diào)試工作大致有以下內(nèi)容2016/9/1 19:49:41
2016/9/1 19:49:41
生產(chǎn)階段的調(diào)試工作大致有以下內(nèi)容:①通電前的外觀和內(nèi)部連接檢查工作:一般在產(chǎn)品通電之前應(yīng)先檢查外觀有沒(méi)有異常,F0002D135如電源連接是否正確、牢靠、螺母有否松動(dòng)、表面有否劃傷...[全文]
電路性質(zhì)不同的地回路線的布設(shè)2016/8/28 17:22:06
2016/8/28 17:22:06
在布線時(shí),一般對(duì)地線做如下處理。①采用短而粗的接地線,增大地線截面積,以減小地阻抗。在高頻時(shí),由于集膚效應(yīng),AD1139J地線中的高頻電流集中在地線表面流過(guò),囚此,不但要求地線的橫...[全文]
間斷加熱拆焊法2016/8/27 20:26:58
2016/8/27 20:26:58
在拆焊耐熱性差的元器件時(shí),為了避免因過(guò)熱雨f損壞元器件,不能長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)加熱該元器件,BA7653AF-E2應(yīng)該采用問(wèn)隔加熱法進(jìn)行拆焊。(1)閘斷加熱拆焊某一焊點(diǎn)。先除去焊點(diǎn)}的焊錫...[全文]
印制連接的特點(diǎn)2016/8/25 19:48:30
2016/8/25 19:48:30
印制電路板具有以下特點(diǎn)。(1)印制電路板可以實(shí)現(xiàn)電路中各個(gè)元器件的電氣連接,代替復(fù)雜的布線,減少了G0600A0R傳統(tǒng)方式下的連接工作量,降低了線路的差錯(cuò)率,減少了連接時(shí)間,簡(jiǎn)化了...[全文]
對(duì)合與加壓2016/8/23 20:44:48
2016/8/23 20:44:48
涂膠晾置后,將兩基體面對(duì)合并基本找準(zhǔn)位置。適當(dāng)施壓使兩接合面來(lái)回錯(cuò)動(dòng)幾次,以排出GAL16V8B-25QP空氣并使膠層均勻,同時(shí)測(cè)量膠層的厚度,使多余的黏合劑從邊緣擠出,最后精確找正定位。...[全文]
傳聲器的檢測(cè)2016/8/21 16:40:48
2016/8/21 16:40:48
(1)將萬(wàn)用表置于R×1Ω或R×10Ω擋,用表筆接傳聲器兩引出端,同時(shí)對(duì)傳聲器吹氣,并觀察指針的擺動(dòng)。KBJ10005指針擺動(dòng)越大說(shuō)明傳聲器越靈敏,若指針沒(méi)有擺動(dòng),則表明傳聲器己損壞。...[全文]
常見(jiàn)表面組裝元器件 2016/8/20 16:22:36
2016/8/20 16:22:36
表面組裝電阻器表面組裝電阻器按封裝外形,可分為片狀和圓柱狀兩種;按制造I藝可分為厚膜型(RN型)和薄膜型(RK型)兩大類(lèi)。(l)矩形片式電阻。外形為DRV8841PW...[全文]
二極管的分類(lèi)2016/8/19 21:56:01
2016/8/19 21:56:01
二極管的種類(lèi)繁多,按采用的材料的不同可分為硅工極管、鍺∷極管、砷工極ADM485JRZ管等;按結(jié)構(gòu)的不同叉可分為點(diǎn)接觸和面接觸工極管;按用途分為整流、檢波、穩(wěn)壓、阻尼、開(kāi)關(guān)、發(fā)光和光敏二極管等;...[全文]
焊接材料 2016/8/17 19:53:57
2016/8/17 19:53:57
焊接即金屬與金屬建立一種牢固的電連接形式。電子產(chǎn)AFB0412HHB品的焊接材料包括焊料、焊劑和阻焊劑。焊料是用來(lái)連接兩種或多種金屬表面,同時(shí)在被連接金屬的表面之間起冶金學(xué)橋梁作用...[全文]
可靠性的概念2016/8/14 18:25:13
2016/8/14 18:25:13
可靠性是指產(chǎn)品在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)和規(guī)定的條件下,完成規(guī)定功能的能力。在這里DAC0800LCMX,產(chǎn)品是一個(gè)非限定性的術(shù)語(yǔ),既可以是一個(gè)裝各系統(tǒng),也可以是組成系統(tǒng)中的某個(gè)部件乃至元器件等。可靠性是產(chǎn)...[全文]
倒梯形等外形結(jié)構(gòu)2016/8/10 20:58:52
2016/8/10 20:58:52
通過(guò)改變器件的形狀可以減少光的路程。高光提取效率的合適形狀包括球形、半球型、JST2N60P去掉頂?shù)臋E圓型等。然而這些結(jié)構(gòu)很難實(shí)現(xiàn),并且成本很高阝]。IG・amcs等人提出了一種可...[全文]
反射率在其他角度下也表現(xiàn)優(yōu)秀2016/8/9 20:37:32
2016/8/9 20:37:32
在介質(zhì)DBR材料當(dāng)中,△02/S⒑2DBR膜系因?yàn)槠湔凵渎什町愝^大(sio2折射率約為1,46,Tio2折射率約為2.5)而B(niǎo)12P-SHF-1AA常被用作G淵基LED背鍍反射層膜系。H,WHu...[全文]
高壓LED芯片的優(yōu)點(diǎn) 2016/8/6 15:34:16
2016/8/6 15:34:16
相對(duì)于傳統(tǒng)LED芯片,高壓LED芯片在許多情況下可直接用高壓驅(qū)動(dòng),簡(jiǎn)化了電源匹配,減少了電壓轉(zhuǎn)換的能源損失,降低了成本及功耗。K4D261638K-LC50在這種背景下,國(guó)際領(lǐng)先的LED供應(yīng)商,...[全文]
小功率芯片2016/8/5 19:48:54
2016/8/5 19:48:54
典型的小功率LED芯片尺寸有6×8mi12、7×8mi12、7×9mi12、8×1omi12、8×12mi12、8×15mi12、9×15mi12等尺寸。JA3514-OS-A04目前LED芯片...[全文]
測(cè)試的芯粒數(shù)巨大2016/8/4 22:31:13
2016/8/4 22:31:13
由于要求測(cè)試的芯粒數(shù)巨大,并且生產(chǎn)企業(yè)對(duì)單臺(tái)測(cè)試設(shè)備的產(chǎn)能需求等均要求點(diǎn)測(cè)機(jī)具有超快的測(cè)試速度,這就要求測(cè)試機(jī)具有很短的運(yùn)動(dòng)時(shí)間和測(cè)試時(shí)間,MLV-L20D一般在毫秒(ms)級(jí)別,通常點(diǎn)測(cè)機(jī)每小...[全文]
研磨拋光工藝 2016/8/4 21:01:28
2016/8/4 21:01:28
目前商業(yè)化的GaN基藍(lán)綠光LED的外延襯底材料主要有藍(lán)寶石、硅和碳化硅3種。MLV-030D硅因其較活潑的化學(xué)性質(zhì),因此作為GaN的外延襯底常在芯片制造過(guò)程中用化學(xué)腐蝕的方法被去除,而將LED制...[全文]
刻蝕工藝 2016/8/4 20:36:08
2016/8/4 20:36:08
刻蝕是用化學(xué)或者物理方法將晶片表面不需要部分去除的工藝過(guò)程,其基本目的是在完成光刻工藝的晶片上正確的復(fù)制掩膜圖形。MC13212刻蝕工藝主要有干法刻蝕和濕法刻蝕兩種。干法刻蝕具有良好的側(cè)壁剖面,...[全文]
曝光方式上有接觸式曝光和非接觸式曝光2016/8/4 20:19:51
2016/8/4 20:19:51
曝光時(shí),在掩膜板的輔助下,使用特定波長(zhǎng)的光對(duì)覆蓋在晶片上的光刻膠進(jìn)行選擇性照射。MC13201FC光刻膠中的感光劑會(huì)發(fā)生光化學(xué)反應(yīng),從而使正膠與負(fù)膠被照射區(qū)域化學(xué)成分發(fā)生變化,這些化學(xué)成分發(fā)生變...[全文]
電子阻擋層對(duì)空穴注入的影響 2016/8/1 22:44:02
2016/8/1 22:44:02
如圖⒉25所示,L7805CV電子阻擋層的價(jià)帶勢(shì)壘高度高于少G扒層,阻礙了空穴從p型層注入到多量子阱區(qū);此外,由于A1GaN層與p-GaN層之間存在著自發(fā)極化電場(chǎng)差以及界面處的晶格不匹配產(chǎn)生的壓...[全文]
高分辨率的圖像要求樣品盡可能的薄2016/7/31 16:17:26
2016/7/31 16:17:26
不同的成像方法是通過(guò)計(jì)算樣品射出的電子束的波函數(shù)來(lái)得到與樣品相關(guān)的信息。根ADS1232據(jù)前面的等式,可以推出觀察到的圖像強(qiáng)度依賴于電子波的幅度,也依賴于電子波的相位。雖然在電子波...[全文]
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