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促進(jìn)CAD/EDA技術(shù)的推廣使用2016/7/30 10:47:15
2016/7/30 10:47:15
節(jié)省設(shè)計費用。APMS-10GRCF搭試驗電路費用高、效率低。采用計算機進(jìn)行模擬驗證就可以節(jié)省研制費用。特別要指出的是，伴隨著計算機的迅速發(fā)展和普及，微機級CAD/EDA軟件水平的不斷提高，這就...[全文]
在AlGaInP的紅光LED的MOCVD外延中磷烷和砷烷用作V族源2016/7/29 21:24:30
2016/7/29 21:24:30
表1-2給出了LED的MOCVD外延中常用氫化物源的物理參數(shù),其中Ⅳ族的⒏H4一般經(jīng)氫氣稀釋后做為n型摻雜源。在GaN基LED系列材料的MOCVD生長中,NH3是唯一V族氫化物源。...[全文]
近耦合噴淋反應(yīng)室2016/7/28 22:04:21
2016/7/28 22:04:21
近耦合噴淋反應(yīng)室(C1oseCoup1edshowe血ead,CCs):圖⒈9為德國愛思強(AIXTRON)公司(原英國劍橋的Thomasswan公司,后被AIXTRON公司收購)的立式近耦合噴...[全文]
表示使用四舍五入法取整;2016/7/22 20:47:35
2016/7/22 20:47:35
表示使用四舍五入法取整;模擬信I0861505PSC號從10VIN輸入時,上式選擇10V,否則選擇⒛V。例如,AD16Tz1工作在⒓位模式:從10VIN引腳輸入-4,999V電壓,...[全文]
單片機顯示、鍵盤系統(tǒng) 2016/7/20 20:29:21
2016/7/20 20:29:21
為了實現(xiàn)人機交互,大多數(shù)的單片機應(yīng)用系統(tǒng),都要配置輸入外設(shè)和輸出外設(shè)。常用的輸F8015J入外設(shè)有鍵盤、BCD碼撥盤等;常用的輸出外設(shè)有LED數(shù)碼管、LCD顯示器、打印機等。顯示器...[全文]
單片機處理中斷的特有過程2016/7/16 19:16:07
2016/7/16 19:16:07
本章首先介紹了中斷的概念以及一般的中斷處理過程,詳細(xì)介紹了單片機處理中斷的特有過程,RHRG75120包括單片機如何跳轉(zhuǎn)到相應(yīng)的中斷服務(wù)子程序,單片機的中斷優(yōu)先級和中斷嵌套,并介紹了與單片機中斷...[全文]
中斷允許控制2016/7/15 20:49:31
2016/7/15 20:49:31
從圖7.3可以看出,每個中斷源都有一個獨立的中斷控制開關(guān),之后還有一個全局的中斷控制開關(guān)。EM78P259N-Q這些開關(guān)分別由各個中斷源的中斷使能控制位和全局中斷使能控制位來控制。只有這些中斷使...[全文]
C51函數(shù)參數(shù)傳遞和返回2016/7/14 20:13:25
2016/7/14 20:13:25
在C51函數(shù)和匯編函數(shù)相互調(diào)用時經(jīng)常要進(jìn)行參數(shù)傳遞,常用的參數(shù)傳遞方式有寄存器傳EPL2014-301MLC遞和固定存儲器位置傳遞兩種方式。寄存器參數(shù)傳遞:寄存器參數(shù)傳遞指參數(shù)通過...[全文]
KeiI C51uVision集成開發(fā)環(huán)境簡介2016/7/5 20:39:40
2016/7/5 20:39:40
KeiIC51uVision集成開發(fā)環(huán)境簡介KCiluⅥsionIDE是德國Keil公司開發(fā)的基于Windows平臺的嵌入式集成開發(fā)環(huán)境,包含一個高效的編譯器、EB2...[全文]
單片機的發(fā)展過程及產(chǎn)品近況2016/7/4 22:21:33
2016/7/4 22:21:33
什么叫單片機?單片機DSEP9-06CR就是在一塊硅片上集成了CPU、RAM、ROM、定時/計數(shù)器和多種V0口(如并行、串行及A/D變換器等)的一個完整的微機處理系統(tǒng)。...[全文]
非AsCⅡ編碼2016/7/4 22:07:55
2016/7/4 22:07:55
英語用128個符號編碼就夠了,DSSK48-003B但是用來表示其他語言時128個符號是不夠的。我國于1980年制定了信息交換7位編碼字符集,即國家標(biāo)準(zhǔn)GB1988-80,除了用人民幣符號Y代替...[全文]
遷移率模型分類2016/7/2 18:47:46
2016/7/2 18:47:46
為了精確模擬器件特性,AD8054AR中用了較精確的物理模型,包括復(fù)合和壽命模型、AD8054AR遷移率模型、BTBT(帶與帶隧穿模型)、BGN(禁帶變窄模型)及一些其他物理模型。...[全文]
兩批樣品氧化層厚度分布2016/7/1 22:15:36
2016/7/1 22:15:36
說明S公司MOS電容樣品測試的最小電容值的波動比H公司MOS電容樣品測試的最小電容值的波動要大,其原因可能是S公司的MOs電容樣品有較大的泄漏電流。CAP006DG由于泄漏電流較大,當(dāng)MOs系統(tǒng)...[全文]
影響氧化層電荷的因素很多2016/7/1 21:56:51
2016/7/1 21:56:51
影響氧化層電荷的因素很多。柵氧化CAP003DG后的溫度應(yīng)低于950℃左右,因為柵氧化后工藝溫度太高、時間太長會使氧化物陷阱電荷密度增大,使s√siα界面附近s⒑2中氧化物空穴陷阱密度增大。柵氧...[全文]
影響氧化層電荷的因素很多2016/7/1 21:56:51
2016/7/1 21:56:51
影響氧化層電荷的因素很多。柵氧化CAP003DG后的溫度應(yīng)低于950℃左右,因為柵氧化后工藝溫度太高、時間太長會使氧化物陷阱電荷密度增大,使s√siα界面附近s⒑2中氧化物空穴陷阱密度增大。柵氧...[全文]
準(zhǔn)恒定電壓等比例縮小規(guī)則2016/6/29 21:06:42
2016/6/29 21:06:42
無論CE理論還是CV理論,都能使集成電路性能得到改善,集成度得到顯著提高c但各自H5TQ4G83AFR-PBC都存在由于過低的電壓量(CE理論)或過高的電場強度(CV理論)所帶來的一系列性能限制...[全文]
電遷移(EM)2016/6/25 22:50:15
2016/6/25 22:50:15
電遷移(EM)。TCV應(yīng)具有表征最壞情況金屬電遷移的結(jié)構(gòu):①表面平整化;②最壞情況非接觸性結(jié)構(gòu);③導(dǎo)電層間的連通;④襯底接觸。...[全文]
污染控制的成功與否與確認(rèn)污染源是息息相關(guān)的2016/6/16 20:57:51
2016/6/16 20:57:51
污染控制的成功與否與確認(rèn)污染源是息息相關(guān)的。許多分析顯示機械設(shè)備是最大的微粒污染源。OP249GS-REEL到20世紀(jì)⒇年代為止,設(shè)備引發(fā)的微粒升至所有污染源的75%~⒇%,但這并不意味機械設(shè)備...[全文]
污染控制的成功與否與確認(rèn)污染源是息息相關(guān)的2016/6/16 20:57:49
2016/6/16 20:57:49
污染控制的成功與否與確認(rèn)污染源是息息相關(guān)的。許多分析顯示機械設(shè)備是最大的微粒污染源。OP249GS-REEL到20世紀(jì)⒇年代為止,設(shè)備引發(fā)的微粒升至所有污染源的75%~⒇%,但這并不意味機械設(shè)備...[全文]
工藝化學(xué)品2016/6/16 20:53:52
2016/6/16 20:53:52
在制造工廠中,用于刻蝕和清洗晶圓和設(shè)備的酸、堿、溶劑必須是最高純度的。OP249GP涉及的污染物有金屬離子微粒和其他化學(xué)品。與水不同的是,工藝化學(xué)品是采購來的,直接運輸?shù)焦S后使用。工業(yè)化學(xué)品分...[全文]
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