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超高集成度車規(guī)級處理器D9360模塊擴(kuò)展出豐富的高速接口2024/3/16 10:17:57
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FSP帶來所需的所有基礎(chǔ)架構(gòu)軟件,包括多個(gè)RTOS、BSP、外設(shè)驅(qū)動(dòng)程序、中間件、連接、網(wǎng)絡(luò)和安全堆棧,以及用于構(gòu)建復(fù)雜AI、電機(jī)控制和云解決方案的參考軟件,從而加快應(yīng)用開發(fā)速度。...[全文]
器件比同類集成式GaN器件更高效地從兩面散熱提供優(yōu)化的熱阻2024/3/14 22:39:26
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LTC2063的低輸入失調(diào)電壓典型值為1µV,最大值為5µV,低輸入偏置和失調(diào)電流典型值為1pA至3pA,因此,折合到輸入端的零點(diǎn)誤差電流典型值僅為10µA(1&#...[全文]
在沒有檢測電流時(shí)產(chǎn)生輸出折合到輸入端的等效誤差電流2024/3/14 13:09:49
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電子設(shè)備的核心是半導(dǎo)體芯片,為了提高電路的密度,芯片的特征尺寸始終朝著減小的趨勢發(fā)展,從最初的幾十微米發(fā)展到目前的0.5微米、0.35微米、0.25微米、0.18微米乃至90納米。...[全文]
64個(gè)MSB電流源是為了在不影響DAC正常工作的前提下用于校正2024/3/13 22:44:04
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算法結(jié)構(gòu)其中包括開關(guān)選擇器電路,譯碼器電路。延時(shí)單元電路,比較器電路,鎖存器電路,移位寄存器電路。傳統(tǒng)12位電流舵DAC的高位電流源陣列包括63個(gè)MSB電流源,后臺校正則共有64個(gè)MSB電流源,...[全文]
建立并訓(xùn)練電流電壓溫度等外部特性參數(shù)與SOC之間映射關(guān)系模型2024/3/13 22:00:23
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用于2.5D封裝的小型FPGA芯片,該芯片主要解決的問題是,如果ASIC使用成熟工藝(如65nm)實(shí)現(xiàn),但是eFPGA在65nm上跑不到預(yù)期的性能怎么辦?使用FlexLogix...[全文]
多個(gè)充放電循環(huán)輕松地進(jìn)行電池測試選用多種測試截止條件2024/3/12 23:39:03
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加速器必須具有更大的外部存儲規(guī)模和非常高的帶寬。當(dāng)今的高端加速器通常使用高性能的外部存儲器,存儲規(guī)模達(dá)8-16GB,運(yùn)行速度可高達(dá)4Tbps。它還必須能夠?qū)⑦@些數(shù)據(jù)傳輸?shù)接?jì)算平臺而不會(huì)影...[全文]
電流流經(jīng)繼電器觸點(diǎn)時(shí)會(huì)遇到電阻取決于觸點(diǎn)的尺寸和材料成分2024/3/12 23:24:29
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電流流經(jīng)繼電器觸點(diǎn)時(shí)會(huì)遇到電阻,這一因素取決于觸點(diǎn)的尺寸和材料成分。電阻升高不僅會(huì)放大繼電器內(nèi)部的功率耗散,還會(huì)增加發(fā)熱量。減少觸頭電阻的一種方法是仔細(xì)選擇接觸材料。...[全文]
連接器出現(xiàn)中斷或性能不穩(wěn)定導(dǎo)致平衡車無法正常運(yùn)行故障發(fā)生2024/3/11 13:07:46
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與標(biāo)準(zhǔn)型DTMOSVI相比,新產(chǎn)品將反向恢復(fù)時(shí)間(trr)縮短了65%,并將反向恢復(fù)電荷(Qrr)減少88%(測試條件:-dIDR/dt=100A/μs)。新產(chǎn)品采用...[全文]
輸出設(shè)備具有相同電源情況各組公共端連在一起否則要分組連接2024/3/10 23:21:15
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與NB-IoT技術(shù)(4.5技術(shù))標(biāo)準(zhǔn)制定的主要貢獻(xiàn)者之一華為和JANZCE共同開發(fā)首款NB-IoT智慧量表。這項(xiàng)利用NB-IoT建置的基礎(chǔ)架構(gòu)網(wǎng)絡(luò)已由NOS根據(jù)華為的技術(shù)進(jìn)行安裝。因此,NO...[全文]
CRC序列與接收到CRC序列相除接收器可以識別出可能存在CRC錯(cuò)誤2024/3/10 22:30:29
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TCS3430作為迄今為止最小的真彩傳感器,能夠使消費(fèi)類產(chǎn)品的的色彩和亮度與環(huán)境的光照和色彩更匹配。消費(fèi)者越來越有色彩概念。根據(jù)最近的調(diào)查顯示,消費(fèi)者愈發(fā)覺得在商店里或者在在線購物時(shí)商品...[全文]
二次繞組應(yīng)與高壓包拉開距離可安裝在高壓包另一側(cè)磁柱上2024/3/10 16:36:04
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由于該技術(shù)大力降低了電磁干擾(EMI),與上一代產(chǎn)品相比,SPM31IPM的功率損耗降低了多達(dá)10%,功率密度提高了多達(dá)9%,IGBT芯片尺寸縮小了20%。...[全文]
開關(guān)損耗大幅降低提高開關(guān)頻率減小輸出濾波器的體積和成本2024/3/10 10:31:47
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NPC1拓?fù)渲虚_關(guān)器件的電壓可減小為原來的一半,器件開關(guān)損耗大幅降低,因此可提高開關(guān)頻率減小輸出濾波器的體積和成本,如果在功率等級不變的情況下,可通過提高母線電壓減小輸出端的電...[全文]
2x2 MIMO天線設(shè)計(jì)為多臺設(shè)備提供更快速率和更好Wi-Fi信號覆蓋2024/3/10 10:10:28
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有線鏈路的和無線多跳的通訊延遲,再疊加上目標(biāo)設(shè)備的數(shù)據(jù)采集行為,下行或者上行鏈路的傳輸時(shí)間可能高達(dá)數(shù)百毫秒;在真實(shí)的環(huán)境中,還要考慮到各種系統(tǒng)延遲和等待操作....[全文]
釋放電磁干擾(EMI)的設(shè)備從而有效降低整個(gè)系統(tǒng)的成本2024/3/10 10:01:38
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元件也會(huì)對電路設(shè)計(jì)的電磁性能造成影響,這不僅僅對于電路板的性能和能耗十分重要,對于電路板經(jīng)濟(jì)性也會(huì)帶來很大的影響,因此所有在歐洲銷售的電路板設(shè)備都必須獲得CE標(biāo)志,以證明不會(huì)對其它系統(tǒng)造...[全文]
干擾控制在5mv以內(nèi)這個(gè)余量非常小很難符合可靠性設(shè)計(jì)原則2024/3/9 15:50:13
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電壓輸出精度并不包含輸出電壓紋波,必須將兩者疊加計(jì)算才能得到正確直流穩(wěn)態(tài)精度。TPS53355和LTM4630的理論輸出精度為24-25mv,對于大部...[全文]
在非密封六引腳無引線芯片載體封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)了電氣隔離和光學(xué)耦合2024/3/8 18:50:05
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在現(xiàn)代照明領(lǐng)域中,LED技術(shù)已成為最受歡迎和使用廣泛的選擇之一。為了確保LED能夠始終以最佳狀態(tài)工作,并獲得理想的照明效果,恒流開關(guān)...[全文]
閃存區(qū)塊數(shù)據(jù)不可直接覆寫所有SSD存在一個(gè)寫入放大率問題2024/3/8 8:49:17
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QTM052mmWave天線模塊和QPM56xxsub-6GHz射頻模塊都是為了配合SnapdragonX505G調(diào)制解調(diào)器使用,幫助處理不同的無線電頻率。閃存顆粒中數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)...[全文]
開關(guān)管和高頻變壓器組成產(chǎn)生du/dt具有較大幅度的脈沖2024/3/7 8:47:05
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在開關(guān)電源的EMC設(shè)計(jì)中,工程師首先需要避兔的就是從電源的開關(guān)電路中所產(chǎn)生的電磁干擾問題,這也是開關(guān)電源的主要干擾源之一。開關(guān)電路在結(jié)構(gòu)方面主要由開關(guān)...[全文]
GMR系列支持5mΩ-220mΩ更大阻值范圍并具有優(yōu)異的溫度特性2024/3/6 19:44:07
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在金屬板型分流電阻器領(lǐng)域,ROHM擁有PSR、GMR、PML和PMR系列產(chǎn)品。PSR系列主要是0.1mΩ~3mΩ范圍的大電流、超低阻值電阻器。GMR系列支持5mΩ~220mΩ的更大阻值范...[全文]
外圍接口和軟件協(xié)議允許在簡單的3線總線處于單I/O模式2024/3/6 8:55:13
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MX25L25673GM是256Mb位串行NOR閃存,內(nèi)部配置為33,554,432x8。當(dāng)它在兩個(gè)或四個(gè)I/O模式下,結(jié)構(gòu)變?yōu)?34,217,728位x2或67,108,864位x4。...[全文]
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