以硅基為材料的微電子器件中，Si02層怍為一種介質(zhì)膜是使用得很廣泛的， LC7351而鋁經(jīng)常用作互連線的材料，Si02與鋁在高溫時將發(fā)生化學反應：

   4A1+ 3S10z—,2Al2 03+3S1

   這使Al層變薄，若Si0。層因反應消耗而穿透，造成鋁、硅直接接觸，這是一種潛在的失效機構。尤其對功率器件，結溫度高，易產(chǎn)生熱斑，熱斑處Al-S102反應而造成PN結短路。解決措施是：

   1)版圖設計時考慮使熱分布均勻，并加強散熱，降低熱阻；

   2)采用諸如Si02 -Al2 03 -S102或S13 N4 -S102之類的復合鈍化層；

   3)用雙層金屬（如Ti-Al、W-Al等）代替單一鋁互連線。