失效分析
發(fā)布時(shí)間:2015/7/4 20:05:33 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):437
壓敏電阻器的材料及組成的檢測(cè)大多選用光譜分析、X射線(xiàn)顯微分析和熒光X射線(xiàn)分析。HEF4049BT可以分析材料組成的基本成分、雜質(zhì)成分和添加物的分布。
結(jié)晶構(gòu)造的檢測(cè)可采用X射線(xiàn)衍射儀,它可以分析添加物及其生成反應(yīng)物的結(jié)晶相。例如,銻的存在形式為尖晶石時(shí),有利于溫度穩(wěn)走性,Bi。0。形成的口、盧、),、艿型的富鉍相比例不同時(shí),荷電穩(wěn)定性不同。
晶體的形狀、大小,添加金屬氧化物形成的晶界厚度及分布在晶界上的顆粒'(尖晶石類(lèi)),可以采用高倍顯微鏡和掃描電子顯微鏡及圖像分析裝置來(lái)觀測(cè)。要提高單位厚度的壓敏電壓、浪涌特性等,必須保證單個(gè)電阻體內(nèi)晶粒均勻一致。結(jié)晶粒界狀態(tài)可利用X顯微分析和掃描電子顯微鏡來(lái)分析。粒界勢(shì)阱能級(jí)、粒界電子構(gòu)造可借助于深度暫態(tài)光譜學(xué)來(lái)加以確定。至于瓷件的內(nèi)部缺陷(如夾層、空隙等)可用超聲探傷和X射線(xiàn)透視方法來(lái)判斷。
壓敏電阻器的材料及組成的檢測(cè)大多選用光譜分析、X射線(xiàn)顯微分析和熒光X射線(xiàn)分析。HEF4049BT可以分析材料組成的基本成分、雜質(zhì)成分和添加物的分布。
結(jié)晶構(gòu)造的檢測(cè)可采用X射線(xiàn)衍射儀,它可以分析添加物及其生成反應(yīng)物的結(jié)晶相。例如,銻的存在形式為尖晶石時(shí),有利于溫度穩(wěn)走性,Bi。0。形成的口、盧、),、艿型的富鉍相比例不同時(shí),荷電穩(wěn)定性不同。
晶體的形狀、大小,添加金屬氧化物形成的晶界厚度及分布在晶界上的顆粒'(尖晶石類(lèi)),可以采用高倍顯微鏡和掃描電子顯微鏡及圖像分析裝置來(lái)觀測(cè)。要提高單位厚度的壓敏電壓、浪涌特性等,必須保證單個(gè)電阻體內(nèi)晶粒均勻一致。結(jié)晶粒界狀態(tài)可利用X顯微分析和掃描電子顯微鏡來(lái)分析。粒界勢(shì)阱能級(jí)、粒界電子構(gòu)造可借助于深度暫態(tài)光譜學(xué)來(lái)加以確定。至于瓷件的內(nèi)部缺陷(如夾層、空隙等)可用超聲探傷和X射線(xiàn)透視方法來(lái)判斷。
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