隨著特征圖形尺寸的減小，IRFPF50PBF在制造工藝中減小缺陷密度和缺陷尺寸的需求就變得十分關(guān)鍵r。在尺寸為100IJm的晶體管上有一個l¨m的灰塵可能不是問題，但對于一個1斗m的晶體管來說1htm的灰塵會是一個導(dǎo)致元件失效的致命缺陷（見圖1.12）。污染控制措施已經(jīng)成為成功的微芯片制造廠一個必備的條件（見第5章）。

   元件密度的增加帶來了連線問題、，在住宅區(qū)的比喻中，用來增加密度的策略之一是減小街道的寬度，但是到一定的程度時(shí)街道對于汽車的通·行來說就太窄九同樣的事情也會發(fā)生在集成電

路設(shè)汁中，元件密度的增加和緊密封裝減小廠連線所需的空間，解決方案是在元件形成的表面上使用多層絕緣層（見圖1. 13）和導(dǎo)電層相互疊加的多層連線（見第13章）.