雖然固態(tài)電子的極大優(yōu)點(diǎn)早已為人所知，IRFR420TRPBF但小型化帶來的優(yōu)越性直到20年后才被認(rèn)識(shí)劍。20世紀(jì)50年代，工程師開始著手工作并制定了許多今天仍在使用的基本f藝和材料、．

   William Shockley和貝爾實(shí)驗(yàn)室對(duì)半導(dǎo)體技術(shù)的廣泛應(yīng)用有著不可磨滅的功績(jī)，，Shoc:kley在1955年離開_『貝爾實(shí)驗(yàn)室并在加利福尼亞的Palo Alto創(chuàng)建了肖克利實(shí)驗(yàn)室。雖然他的實(shí)驗(yàn)室未能延續(xù)F來，但是它在西海岸建立了半導(dǎo)體制造業(yè)并為后來著名的硅谷奠定_『基礎(chǔ)，叭爾實(shí)驗(yàn)室對(duì)它的半導(dǎo)體技術(shù)授予許可證并轉(zhuǎn)給制造公司，這促進(jìn)f半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的騰飛。

   早期的半導(dǎo)體器件是用鍺材料來制造的。德州儀器( TI)公司在1954年引入了第一個(gè)硅晶體管，從麗改變了這一趨勢(shì)。而在1956年和1957年貝爾實(shí)驗(yàn)室的兩個(gè)技術(shù)進(jìn)步，即擴(kuò)散結(jié)和氧化掩膜，解決了哪種材料會(huì)占主流的問題。

   氧化掩膜的發(fā)展帶來了硅的時(shí)代。二氧化硅( Si02)可以在硅表面上均勻生成，并且有和硅相近的膨脹系數(shù)，使得在進(jìn)行高溫處理時(shí)不會(huì)出現(xiàn)翹起變形，二氧化硅還是絕緣材料，可以在硅表面上充當(dāng)絕緣層。，另外，它對(duì)形成N型和P型區(qū)所需的摻雜物有良好的阻擋作用、

   由于這些技術(shù)的進(jìn)步，F(xiàn)airchild Camera公司在1960年引入了平面技術(shù)。使用f：面提到的技術(shù)可以在制造過程中形成（擴(kuò)散）和保護(hù)（二氧化硅）PN結(jié)。氧化掩膜的開發(fā)也使得可以通過晶圓的表面形成兩個(gè)PN結(jié)，也就是它們都在同一平面(plane)中。這種工藝將半導(dǎo)體技術(shù)引入用薄膜連線開發(fā)的階段。

   貝爾實(shí)驗(yàn)室又構(gòu)思出了在晶圓的表面沉積一層稱為外延層( epitaxial layer)的高純度膜，再在其j二形成晶體管的技術(shù)（見第12章），使用這種技術(shù)町制作出更高速度的晶體管，并提供r -個(gè)使得在雙極型電路中元件封裝更緊密的方案。