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晶圓中測(cè)

發(fā)布時(shí)間:2015/10/25 17:50:49 訪問(wèn)次數(shù):1546

   在晶圓制造完成之后,STM8S003F3P6接下來(lái)是·步1E常重要的測(cè)試步驟:晶圓中測(cè)  這步測(cè)試是晶圓牛產(chǎn)過(guò)程的報(bào)告+-  存測(cè)試過(guò)程中,檢測(cè)每一個(gè)芯片的電性能和電路功能  晶圓中測(cè)又稱為芯片分選( dic sort)或電分選(ele(itrical sort).

   在測(cè)試時(shí),晶圓被固定在真空吸力的話盤r:,并將很細(xì)的探針對(duì)準(zhǔn)芯片的每一個(gè)壓點(diǎn)(I,t,nding pad)使其相接觸(見(jiàn)圖4.20)  將探針‘j測(cè)試電路的電源相連,并記錄F結(jié)果,測(cè)試的數(shù)量、順序和類型由計(jì)算機(jī)程序控制,,測(cè)試機(jī)是自動(dòng)化的,所以在探針+與第一片晶圓對(duì)準(zhǔn)后(人工對(duì)準(zhǔn)或使用自動(dòng)視覺(jué)系統(tǒng))的測(cè)試T:作無(wú)須操作員的輔助.

     

   測(cè)試是為r以F 3個(gè)臼的  第.,在晶圓送到封裝_T廠之前,鑒別出合格的芯片、對(duì)器件或電路的電性參數(shù)進(jìn)行特性評(píng)估。J_:程師們需要監(jiān)測(cè)參數(shù)的分布狀態(tài)來(lái)保持1:藝的質(zhì)量水平。第i。占片的合格品與不良品的核算會(huì)給晶圓生產(chǎn)人員提供全面的業(yè)績(jī)反饋,合袼芯片與不良品在晶圓[:的位置在計(jì)算機(jī)上以晶圓圖的形式記錄下來(lái)。從前的老式技術(shù)在品(nonworking)芯片_【:涂一個(gè)墨點(diǎn)、

   晶圓中測(cè)是主要的芯片良品率統(tǒng)計(jì)方法之一隨著芯片的面積增大和密度提高使得晶網(wǎng)測(cè)試的費(fèi)用越來(lái)越大!  這樣一來(lái),芯片需要更長(zhǎng)的測(cè)試時(shí)間以及更加精密復(fù)雜的電源、機(jī)械裝置和計(jì)算機(jī)系統(tǒng)來(lái)執(zhí)行測(cè)試丁作和監(jiān)控測(cè)試結(jié)果。視覺(jué)檢查系統(tǒng)也是隨著芯片尺寸擴(kuò)大而更加精密和昂貴的消減芯片測(cè)試時(shí)問(wèn)也是一個(gè)挑戰(zhàn)芯片的設(shè)計(jì)人員被要求將測(cè)試模式引入存儲(chǔ)陣列,測(cè)試的設(shè)計(jì)人員在探索如何將測(cè)試流程更加簡(jiǎn)化而有效,例如在芯片參數(shù)評(píng)

估合格后使用簡(jiǎn)化的測(cè)試程序,另外也可以隔行測(cè)試晶圓上的芯片,或者同時(shí)進(jìn)行多個(gè)芯片的測(cè)試一晶圓的測(cè)試良品率將在第6章具體講述二.

   在晶圓制造完成之后,STM8S003F3P6接下來(lái)是·步1E常重要的測(cè)試步驟:晶圓中測(cè)  這步測(cè)試是晶圓牛產(chǎn)過(guò)程的報(bào)告+-  存測(cè)試過(guò)程中,檢測(cè)每一個(gè)芯片的電性能和電路功能  晶圓中測(cè)又稱為芯片分選( dic sort)或電分選(ele(itrical sort).

   在測(cè)試時(shí),晶圓被固定在真空吸力的話盤r:,并將很細(xì)的探針對(duì)準(zhǔn)芯片的每一個(gè)壓點(diǎn)(I,t,nding pad)使其相接觸(見(jiàn)圖4.20)  將探針‘j測(cè)試電路的電源相連,并記錄F結(jié)果,測(cè)試的數(shù)量、順序和類型由計(jì)算機(jī)程序控制,,測(cè)試機(jī)是自動(dòng)化的,所以在探針+與第一片晶圓對(duì)準(zhǔn)后(人工對(duì)準(zhǔn)或使用自動(dòng)視覺(jué)系統(tǒng))的測(cè)試T:作無(wú)須操作員的輔助.

     

   測(cè)試是為r以F 3個(gè)臼的  第.,在晶圓送到封裝_T廠之前,鑒別出合格的芯片、對(duì)器件或電路的電性參數(shù)進(jìn)行特性評(píng)估。J_:程師們需要監(jiān)測(cè)參數(shù)的分布狀態(tài)來(lái)保持1:藝的質(zhì)量水平。第i。占片的合格品與不良品的核算會(huì)給晶圓生產(chǎn)人員提供全面的業(yè)績(jī)反饋,合袼芯片與不良品在晶圓[:的位置在計(jì)算機(jī)上以晶圓圖的形式記錄下來(lái)。從前的老式技術(shù)在品(nonworking)芯片_【:涂一個(gè)墨點(diǎn)、

   晶圓中測(cè)是主要的芯片良品率統(tǒng)計(jì)方法之一隨著芯片的面積增大和密度提高使得晶網(wǎng)測(cè)試的費(fèi)用越來(lái)越大!  這樣一來(lái),芯片需要更長(zhǎng)的測(cè)試時(shí)間以及更加精密復(fù)雜的電源、機(jī)械裝置和計(jì)算機(jī)系統(tǒng)來(lái)執(zhí)行測(cè)試丁作和監(jiān)控測(cè)試結(jié)果。視覺(jué)檢查系統(tǒng)也是隨著芯片尺寸擴(kuò)大而更加精密和昂貴的消減芯片測(cè)試時(shí)問(wèn)也是一個(gè)挑戰(zhàn)芯片的設(shè)計(jì)人員被要求將測(cè)試模式引入存儲(chǔ)陣列,測(cè)試的設(shè)計(jì)人員在探索如何將測(cè)試流程更加簡(jiǎn)化而有效,例如在芯片參數(shù)評(píng)

估合格后使用簡(jiǎn)化的測(cè)試程序,另外也可以隔行測(cè)試晶圓上的芯片,或者同時(shí)進(jìn)行多個(gè)芯片的測(cè)試一晶圓的測(cè)試良品率將在第6章具體講述二.

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