晶圓中測(cè)
發(fā)布時(shí)間:2015/10/25 17:50:49 訪問(wèn)次數(shù):1546
在晶圓制造完成之后,STM8S003F3P6接下來(lái)是·步1E常重要的測(cè)試步驟:晶圓中測(cè) 這步測(cè)試是晶圓牛產(chǎn)過(guò)程的報(bào)告+- 存測(cè)試過(guò)程中,檢測(cè)每一個(gè)芯片的電性能和電路功能 晶圓中測(cè)又稱為芯片分選( dic sort)或電分選(ele(itrical sort).
在測(cè)試時(shí),晶圓被固定在真空吸力的話盤r:,并將很細(xì)的探針對(duì)準(zhǔn)芯片的每一個(gè)壓點(diǎn)(I,t,nding pad)使其相接觸(見(jiàn)圖4.20) 將探針‘j測(cè)試電路的電源相連,并記錄F結(jié)果,測(cè)試的數(shù)量、順序和類型由計(jì)算機(jī)程序控制,,測(cè)試機(jī)是自動(dòng)化的,所以在探針+與第一片晶圓對(duì)準(zhǔn)后(人工對(duì)準(zhǔn)或使用自動(dòng)視覺(jué)系統(tǒng))的測(cè)試T:作無(wú)須操作員的輔助.
測(cè)試是為r以F 3個(gè)臼的 第.,在晶圓送到封裝_T廠之前,鑒別出合格的芯片、對(duì)器件或電路的電性參數(shù)進(jìn)行特性評(píng)估。J_:程師們需要監(jiān)測(cè)參數(shù)的分布狀態(tài)來(lái)保持1:藝的質(zhì)量水平。第i。占片的合格品與不良品的核算會(huì)給晶圓生產(chǎn)人員提供全面的業(yè)績(jī)反饋,合袼芯片與不良品在晶圓[:的位置在計(jì)算機(jī)上以晶圓圖的形式記錄下來(lái)。從前的老式技術(shù)在品(nonworking)芯片_【:涂一個(gè)墨點(diǎn)、
晶圓中測(cè)是主要的芯片良品率統(tǒng)計(jì)方法之一隨著芯片的面積增大和密度提高使得晶網(wǎng)測(cè)試的費(fèi)用越來(lái)越大! 這樣一來(lái),芯片需要更長(zhǎng)的測(cè)試時(shí)間以及更加精密復(fù)雜的電源、機(jī)械裝置和計(jì)算機(jī)系統(tǒng)來(lái)執(zhí)行測(cè)試丁作和監(jiān)控測(cè)試結(jié)果。視覺(jué)檢查系統(tǒng)也是隨著芯片尺寸擴(kuò)大而更加精密和昂貴的消減芯片測(cè)試時(shí)問(wèn)也是一個(gè)挑戰(zhàn)芯片的設(shè)計(jì)人員被要求將測(cè)試模式引入存儲(chǔ)陣列,測(cè)試的設(shè)計(jì)人員在探索如何將測(cè)試流程更加簡(jiǎn)化而有效,例如在芯片參數(shù)評(píng)
估合格后使用簡(jiǎn)化的測(cè)試程序,另外也可以隔行測(cè)試晶圓上的芯片,或者同時(shí)進(jìn)行多個(gè)芯片的測(cè)試一晶圓的測(cè)試良品率將在第6章具體講述二.
在晶圓制造完成之后,STM8S003F3P6接下來(lái)是·步1E常重要的測(cè)試步驟:晶圓中測(cè) 這步測(cè)試是晶圓牛產(chǎn)過(guò)程的報(bào)告+- 存測(cè)試過(guò)程中,檢測(cè)每一個(gè)芯片的電性能和電路功能 晶圓中測(cè)又稱為芯片分選( dic sort)或電分選(ele(itrical sort).
在測(cè)試時(shí),晶圓被固定在真空吸力的話盤r:,并將很細(xì)的探針對(duì)準(zhǔn)芯片的每一個(gè)壓點(diǎn)(I,t,nding pad)使其相接觸(見(jiàn)圖4.20) 將探針‘j測(cè)試電路的電源相連,并記錄F結(jié)果,測(cè)試的數(shù)量、順序和類型由計(jì)算機(jī)程序控制,,測(cè)試機(jī)是自動(dòng)化的,所以在探針+與第一片晶圓對(duì)準(zhǔn)后(人工對(duì)準(zhǔn)或使用自動(dòng)視覺(jué)系統(tǒng))的測(cè)試T:作無(wú)須操作員的輔助.
測(cè)試是為r以F 3個(gè)臼的 第.,在晶圓送到封裝_T廠之前,鑒別出合格的芯片、對(duì)器件或電路的電性參數(shù)進(jìn)行特性評(píng)估。J_:程師們需要監(jiān)測(cè)參數(shù)的分布狀態(tài)來(lái)保持1:藝的質(zhì)量水平。第i。占片的合格品與不良品的核算會(huì)給晶圓生產(chǎn)人員提供全面的業(yè)績(jī)反饋,合袼芯片與不良品在晶圓[:的位置在計(jì)算機(jī)上以晶圓圖的形式記錄下來(lái)。從前的老式技術(shù)在品(nonworking)芯片_【:涂一個(gè)墨點(diǎn)、
晶圓中測(cè)是主要的芯片良品率統(tǒng)計(jì)方法之一隨著芯片的面積增大和密度提高使得晶網(wǎng)測(cè)試的費(fèi)用越來(lái)越大! 這樣一來(lái),芯片需要更長(zhǎng)的測(cè)試時(shí)間以及更加精密復(fù)雜的電源、機(jī)械裝置和計(jì)算機(jī)系統(tǒng)來(lái)執(zhí)行測(cè)試丁作和監(jiān)控測(cè)試結(jié)果。視覺(jué)檢查系統(tǒng)也是隨著芯片尺寸擴(kuò)大而更加精密和昂貴的消減芯片測(cè)試時(shí)問(wèn)也是一個(gè)挑戰(zhàn)芯片的設(shè)計(jì)人員被要求將測(cè)試模式引入存儲(chǔ)陣列,測(cè)試的設(shè)計(jì)人員在探索如何將測(cè)試流程更加簡(jiǎn)化而有效,例如在芯片參數(shù)評(píng)
估合格后使用簡(jiǎn)化的測(cè)試程序,另外也可以隔行測(cè)試晶圓上的芯片,或者同時(shí)進(jìn)行多個(gè)芯片的測(cè)試一晶圓的測(cè)試良品率將在第6章具體講述二.
上一篇:電阻的圖形和晶體管源
上一篇:集成電路的封裝
熱門點(diǎn)擊
- 燈光照明的分類
- 晶圓中測(cè)
- 導(dǎo)線截面積及類型的選擇
- 16位和32位數(shù)據(jù)區(qū)間比較指令:F62 (W
- 非常薄的MOS柵極氧化生長(zhǎng)是高壓氧化工藝的候
- 電纜線路在隧道、管、溝內(nèi)敷設(shè)的要求
- 接觸電阻
- 器件絕緣體(MOS柵)
- 路燈桿內(nèi)裝有斷路器或熔斷器
- 低壓斷路器工作原理
推薦技術(shù)資料
- 頻譜儀的解調(diào)功能
- 現(xiàn)代頻譜儀在跟蹤源模式下也可以使用Maker和△Mak... [詳細(xì)]
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門信號(hào)調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
- SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1應(yīng)
- RISC技術(shù)8位微控制器參數(shù)設(shè)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究