非常薄的MOS柵極氧化生長是高壓氧化工藝的候選。薄氧化層必須要結(jié)構(gòu)完整（沒有孔等）。 OP179GRT足夠強的電介質(zhì)可以防止在柵區(qū)的電荷積累。在高壓氧化中生成的柵極比在常壓時生成的柵極絕緣性強24、．高壓氧化1：藝也呵以解決在局部氧化中( LOCOS)產(chǎn)生的“鳥嘴”問題，見16.4.1節(jié)里的局部氧化隔離丁藝。圖7.26解釋了在MOS器件中不希望出現(xiàn)的“鳥嘴”長入了有源區(qū)。、高壓氧化可以將“鳥嘴”侵蝕進(jìn)器件的區(qū)域減到最小，并在LOCOS工藝中使場氧化層最薄25，、

   另外對于氧化來講，高壓系統(tǒng)也可以應(yīng)用于CVD外延沉積和晶圓表面的回流玻璃層這些領(lǐng)域中26；，這兩種工藝如果在低溫下形成，會得到很好的質(zhì)量。

   鳥嘴的生長。(a)無預(yù)刻蝕；(b)looo A預(yù)刻蝕；(C)2000 A預(yù)刻蝕（源白Ghandhi，VLSI Fabrir:ation, Prin,ciple．s）