晶圓隔離或微局部環(huán)境技術(shù)還有利用其他方法升級(jí)現(xiàn)存制造工廠的優(yōu)點(diǎn)（見圖5. 14），HEF4052BTR二因污染而損失的成品率可降低，這個(gè)優(yōu)點(diǎn)即使在小型工廠或費(fèi)用較低時(shí)也可以使用。，WITr玎使空氣潔凈度達(dá)到較高的要求，并可降低建造和生產(chǎn)費(fèi)用。因?yàn)榫A已被隔離，所以就減輕了對(duì)工作服、工作過程和各種其他限制的要求．，然而隨著更大尺寸晶圓的出現(xiàn)，增加r晶圓匣的質(zhì)量，這對(duì)操作人員來講也過重，增加了掉落風(fēng)險(xiǎn)，這反而增加r機(jī)械手的建造費(fèi)用與復(fù)雜性。微局部設(shè)計(jì)規(guī)劃還要考慮等待加工的晶圓存儲(chǔ)問題：現(xiàn)行的技術(shù)使用儲(chǔ)存柜( stocker)來存儲(chǔ)等待加T的晶圓與晶圓匣。布局的規(guī)劃可能還包括一個(gè)中心存儲(chǔ)系統(tǒng)，每臺(tái)設(shè)備t有或沒有緩沖存儲(chǔ)區(qū)，，隔離系統(tǒng)還在地面上和排氣系統(tǒng)方面將工藝（光刻、CVD和摻雜、CMP和濕法刻蝕、特種金屬）區(qū)域互相劃分開以防止化學(xué)晶的交叉污染。

    圖5.  14晶圓隔離技術(shù)