控制顆粒，空氣中溫度、濕度和HEF4053BTR煙霧的含量也需要規(guī)定與控制。溫度控制對操作員的舒適性與工藝控制是很重要的。許多用化學溶劑來做刻蝕與清洗的工藝都在沒有溫度控制的I：藝槽內(nèi)完成，只依賴于凈化間溫度的控制。這種控制非常重要，因為化學反應(yīng)會隨溫度的變化而不同，例如，溫度每升高10℃，刻蝕速率參數(shù)加2。典型的室溫為72 F+2 F(22. 20C±1.loC)。，

   相對濕度也是一個非常重要的工藝參數(shù)，尤其在光刻工藝中。在這個工藝中，要在晶圓表面鍍_[：一層聚合物作為刻蝕膜版。如果濕度過大，晶圓表面太潮濕，會影響聚合物的結(jié)合，就像在潮濕的畫板上繪畫一樣，如果濕度過低，晶圓表面就會產(chǎn)生靜電，這些靜電會從奪‘毛中吸附微粒。一般相對濕度應(yīng)保持在15%到50%之間。

   煙霧是凈化間的另一個窄中污染源。而它同樣對光刻工藝影響最大。、光刻中的—1＼步驟tj照相中的曝光相似，是一種化學反應(yīng)工藝。臭氧是煙霧中的主要成分，易影響曝光，必須被控制．在進入空氣的管道中裝七碳素過濾器可吸附臭氧。