潔凈的晶圓是芯片生產(chǎn)全過程中的基本要求，但并不是在每個(gè)高溫F的操作前都必須進(jìn)行的，  RT9166-18GVL一般說來，全部工藝過程中高達(dá)30%的步驟為晶圓清洗28．在這罩將要描述的清洗14藝，將貫穿芯片生產(chǎn)的全過程。

   半導(dǎo)體工藝的發(fā)展過程在很多方面可以說是清洗工藝隨著對(duì)無污染晶圓需求不斷增長(zhǎng)而發(fā)展的過程。晶圓表面有4大常見類型的污染，每一種在晶圓上體現(xiàn)為不同的問題，并叮用不同的工藝去除。這4種類型是：

  1．顆粒

  2．有機(jī)殘留物

  3．無機(jī)殘留物

  4．需要去除的氧化層

   通常來說，一個(gè)晶圓清洗的工藝或一系列的工藝，必須在去除晶圓表面全部污染物（上述類型）的同時(shí)，不會(huì)刻蝕或損害晶圓表面。它在生產(chǎn)配制上是安全的、經(jīng)濟(jì)的，是為業(yè)內(nèi)可接受的。通常對(duì)清洗工藝的設(shè)計(jì)適用于兩種基本的晶片狀況。一種叫做前端工藝線( FEOL)，特指那些形成有源電性部件之前的生產(chǎn)步驟。在這些步驟中，晶圓表面尤其是MOS器件的柵區(qū)域，是暴露的、極易受損的。在這些清洗步驟中，一個(gè)極其關(guān)鍵的參數(shù)是表面粗糙度( surface roughness)。過于粗糙的表面會(huì)改變器件的性能，損害器件卜面沉積層的均勻性，表面粗糙度是以納米為單位的表面縱向變差的平方根( nmRMS)。2000年的要求是0. 15 nm, 2010年已逐漸降低到0.1 nm以下29。在FEOL的清洗工藝中，另外一個(gè)值得關(guān)注的方面是光片表面的電性條件。器件表面的金屬離子污染物改變電性特征，尤其是MOS晶體管極易受損。鈉( Na)連同F(xiàn)e、Ni、Cu和Zn是典型的問題（見第4章）。清洗工藝必須將其

濃度降至2.5×l09原子／CI112以下從而達(dá)到2010年的器件需要。、鋁和鈣也是存在的問題，它們?cè)诰砻娴暮啃枰陀?×l09原子／C ffl2的水平瓤1。