步進式光刻機
發(fā)布時間:2015/11/1 18:25:24 訪問次數(shù):2888
步進式光刻機:雖然掃K9F1G08UOM描投影光刻機是在生產(chǎn)工作中超越接觸式光刻機的一個重大飛躍,但它們?nèi)杂幸恍┚窒扌,比如說與全局掩膜、圖形失真,以及掩模版r:的塵埃和玻璃損壞造成的缺陷相關(guān)的對準和套準問題。
下一步是直接把圖像從掩模版上分步曝光到晶圓表面上(見圖8. 47),它與制造掩模版的技術(shù)是相同的.j帶有一個或幾個芯片圖形的放大掩模版被對準、曝光,然后步進( stepped)到下一個曝光場,重復(fù)( repeated)這樣的過程。這種放大掩模版比全局掩模版的質(zhì)量高,因此產(chǎn)生缺陷的數(shù)量就更小。由于每個芯片分別對準,使得套準和對準變得更好。分步的過程使更大直徑的晶圓能夠精確匹配。它的其他優(yōu)點還有:由于每次曝光區(qū)域變小,以及對塵埃敏感性的減小,分辨率得以提高。有些步進式光刻機是1:1型的,就是掩模版上的圖形尺寸與晶圓I二需要的圖形尺寸相同。、其他的則采用為最終尺寸5—10倍的掩模版,它們被稱為縮小步進光刻機( reduction stepper)。制造加大尺寸的放大掩模版更加容易,而且塵埃和玻璃的細小變形會在曝光過程中減小乃至消失(見圖8.50)。一般來說,縮小倍數(shù)×5是較佳的。
步進式光刻機:雖然掃K9F1G08UOM描投影光刻機是在生產(chǎn)工作中超越接觸式光刻機的一個重大飛躍,但它們?nèi)杂幸恍┚窒扌,比如說與全局掩膜、圖形失真,以及掩模版r:的塵埃和玻璃損壞造成的缺陷相關(guān)的對準和套準問題。
下一步是直接把圖像從掩模版上分步曝光到晶圓表面上(見圖8. 47),它與制造掩模版的技術(shù)是相同的.j帶有一個或幾個芯片圖形的放大掩模版被對準、曝光,然后步進( stepped)到下一個曝光場,重復(fù)( repeated)這樣的過程。這種放大掩模版比全局掩模版的質(zhì)量高,因此產(chǎn)生缺陷的數(shù)量就更小。由于每個芯片分別對準,使得套準和對準變得更好。分步的過程使更大直徑的晶圓能夠精確匹配。它的其他優(yōu)點還有:由于每次曝光區(qū)域變小,以及對塵埃敏感性的減小,分辨率得以提高。有些步進式光刻機是1:1型的,就是掩模版上的圖形尺寸與晶圓I二需要的圖形尺寸相同。、其他的則采用為最終尺寸5—10倍的掩模版,它們被稱為縮小步進光刻機( reduction stepper)。制造加大尺寸的放大掩模版更加容易,而且塵埃和玻璃的細小變形會在曝光過程中減小乃至消失(見圖8.50)。一般來說,縮小倍數(shù)×5是較佳的。
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