另一個(gè)最為關(guān)鍵的方面是保持柵氧的完整性。清洗工藝可能會(huì)破壞柵氧從而使其粗糙，RT9166-33GVL尤其是較薄的柵氧最易受到損害。在MOS晶體管中，柵氧是用來(lái)做絕緣介質(zhì)的，因此它必須具有一致的結(jié)構(gòu)、表面狀態(tài)和厚度。柵氧的完整性( GOI)是靠測(cè)試柵的電性短路來(lái)測(cè)量的引.

   對(duì)于后端r藝線( BEOI．)的清洗，除了顆粒問(wèn)題和金屬離子的問(wèn)題，通常的問(wèn)題是陰離子、多晶硅柵的完整性、接觸電阻、通孑L的清潔程度、有機(jī)物以及在金屬布線中總的短路和開(kāi)路的數(shù)量。這些問(wèn)題將在第13章中討論。光刻膠的去除也是FF,OL和BEOL都存在酌很重要的一種清洗工藝。它所存在的問(wèn)題將在第9章中探討。

   不同的化學(xué)物質(zhì)與清洗方法相結(jié)合以適應(yīng)工藝過(guò)程中特殊步驟的需要。典型的FEOL清洗工藝（例如氧化前的清洗）列在圖5. 24中。所列出的FF.OL清洗稱為非HF結(jié)尾的T藝其他的類(lèi)型是以HF去除工藝結(jié)尾的清洗。非HF結(jié)尾的表面是親水性的，呵以被烘干『斫不留任何水印，同時(shí)還會(huì)生成（在清洗過(guò)程中形成）一層薄的氧化膜從而對(duì)其產(chǎn)生保護(hù)作用．、這樣的表面也容易吸收較多的有機(jī)污染物。HF結(jié)尾的表面是厭水性的，在有親水性（氧化物）表面存在時(shí)不容易被烘干而不留水印。這樣的表面由于氫的表面鈍化作用而異常穩(wěn)定川