與導電性相對的是，RT9179GB有些材料中表現(xiàn)出核子對軌道電子的強大束縛，直接的效果就是對電子移動有很大的阻礙，這些材料就是絕緣體( dielectric)。它們有很低的電導率和很高的電阻率。在電子電路和電子產(chǎn)品中，二氧化硅可作為絕緣體。

   像做三明治那樣把一層絕緣材料夾在兩個導體之間就形成了一種電子元件，即電容( capacitor)。在半導體結構中，MOS柵結構、被絕緣層隔開的金屬層和硅基體之間及其他結構中都存在電容（見第16章）。電容的實際效用就是存儲電荷。電容在存儲器申用于信息存儲，消除在導體和硅表面累積的不利電荷，并形成場效應晶體管中的工作器件。，薄膜的電容能力與其面積、厚度，以及一個特性指數(shù)[即絕緣常數(shù)( dielectric constant)]有關。半導體金屬傳導系統(tǒng)需要很高的電導率，因而也就需要低電阻和低電容材料。這些材料就是低絕緣常數(shù)（low-k dielectric）的絕緣體，用于傳導層間隔離的絕緣層需要高電容或者高絕緣常數(shù)（high-矗dielec:tric）的絕緣體。