與導(dǎo)電性相對的是，RT9179GB有些材料中表現(xiàn)出核子對軌道電子的強(qiáng)大束縛，直接的效果就是對電子移動有很大的阻礙，這些材料就是絕緣體( dielectric)。它們有很低的電導(dǎo)率和很高的電阻率。在電子電路和電子產(chǎn)品中，二氧化硅可作為絕緣體。

   像做三明治那樣把一層絕緣材料夾在兩個(gè)導(dǎo)體之間就形成了一種電子元件，即電容( capacitor)。在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，MOS柵結(jié)構(gòu)、被絕緣層隔開的金屬層和硅基體之間及其他結(jié)構(gòu)中都存在電容（見第16章）。電容的實(shí)際效用就是存儲電荷。電容在存儲器申用于信息存儲，消除在導(dǎo)體和硅表面累積的不利電荷，并形成場效應(yīng)晶體管中的工作器件。，薄膜的電容能力與其面積、厚度，以及一個(gè)特性指數(shù)[即絕緣常數(shù)( dielectric constant)]有關(guān)。半導(dǎo)體金屬傳導(dǎo)系統(tǒng)需要很高的電導(dǎo)率，因而也就需要低電阻和低電容材料。這些材料就是低絕緣常數(shù)（low-k dielectric）的絕緣體，用于傳導(dǎo)層間隔離的絕緣層需要高電容或者高絕緣常數(shù)（high-矗dielec:tric）的絕緣體。