從表中的數(shù)據(jù)可以看出晶圓電測(cè)良品率是3個(gè)良品率點(diǎn)中最低的，這就是 K4D263238I-VC50為什么會(huì)有許多致力于提高晶圓電測(cè)良品率的計(jì)劃。有一段時(shí)間晶圓電測(cè)良品率的提升對(duì)生產(chǎn)率的提高產(chǎn)生最大的影響。更大和更復(fù)雜的芯片（如兆位級(jí)的存儲(chǔ)器）的出現(xiàn)使得如設(shè)備持有成本（見(jiàn)第15章）等其他因素被加入到提高生產(chǎn)率的范疇。百萬(wàn)級(jí)芯片時(shí)代要求的成功是晶圓電測(cè)良品率需要在90%昀范圍9。

  學(xué)習(xí)完本章后，你應(yīng)該能夠：

  1．指出3個(gè)工藝良品率的主要測(cè)量點(diǎn)。

   2．解釋晶圓直徑、芯片尺寸、芯片密度、邊緣芯片數(shù)量和制程缺陷密度對(duì)晶圓電測(cè)良品率的影響。

   3．通過(guò)單步工藝制程良品率來(lái)計(jì)算出累積晶圓生產(chǎn)良品率。

   4．解釋及汁算整體工藝良品率。

   5．對(duì)影響制造良品率的4個(gè)主要方面做出解釋。

   6．建立良品率相對(duì)時(shí)間的曲線來(lái)反映不同工藝和電路的成熟程度。

   7．解釋高水平工藝良品率和器件可靠性之間的聯(lián)系。